[發明專利]一種基于轉接基板的裸芯片KGD篩選方法

有效

• 申請號: 202010544602.9
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN111696879B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 匡乃亮;唐磊;李寶霞;趙超;郭雁蓉
• 申請（專利權）人: 西安微電子技術研究所
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 李鵬威

本發明一種基于轉接基板的裸芯片KGD篩選方法，包括步驟1，確定硅轉接標準基板上放置的該尺寸被測的FC裸芯片數量；步驟2，先依次在硅轉接標準基板的正面制備底部有導電材料填充的TSV盲孔、多層金屬布線和焊盤，之后將得到的硅轉接標準基板的背面減薄，露出TSV盲孔底部的導電材料，最后依次進行背面多層金屬布線和背面焊盤；步驟3，將被測的FC裸芯片倒裝在TSV硅轉接標準基板上；步驟4，先將被測的FC裸芯片和TSV硅轉接標準基板之間的縫隙進行填充后固化，再將得到的標準組件通過KGD測試進行篩選。本發明將單顆或多顆不同大小的裸芯片及不同物理分布的引出點，轉變成標準大小、標準引出點排列，從而降低測試成本。

技術領域

本發明涉及裸芯片KGD測試技術領域，具體為一種基于轉接基板的裸芯片KGD篩選方法。

背景技術

隨著半導體產業的發展，基于裸芯片的MCM封裝技術越來越被業界重視，但是裸芯片的未知質量問題所導致的封裝成品率和可靠性的降低卻使得MCM封裝技術受到極大的限制，其中裸芯片的KGD測試是提高MCM成品率和可靠性的關鍵。

KGD工藝流程需要將芯片安裝在臨時載體的夾具中，完成老化篩選、測試出KGD。目前國外有多家半導體廠商已開發KGD技術，如德州儀器(TI)的Die Mate測試系統，Micro-ASI公司的Si-Star KGD測試系統，AEHR公司的Die PAC等。Micro-ASI公司的Si-Star測試系統由導電聚脂凸點粘附有導電聚酯凸點的陶瓷基板、拾片頭和用于完成高低溫試驗的熱電致冷器(TEC)組成，其中，將單個芯片置入一個臨時載體的夾具中，單個芯片與陶瓷基板相接觸，然后連同載體一起進行老化、測試，最后取出芯片，淘汰掉功能、參數不合格的產品。TI公司的Die Mate測試系統設置有臨時性可重復使用的封殼載體，該封殼載體從上至下可分解為蓋子、被測芯片、一體化的基板夾具、老化測試座等幾大部分，蓋子帶有一個旋轉式鎖定機構，被測芯片通過封殼載體接受老化篩選。每個被測芯片在基板夾具上的定位精確度須達到微米級，由加載器和卸載器的拾取可視對準系統完成。

以上述兩種設備為代表的KGD測試系統均存在測試的夾具價格昂貴的問題，只適應于大批量單一品種的裸芯片，不適應于MCM中裸芯片的尺寸、PAD坐標各異以及小批量的測試需求。

發明內容

針對現有技術中存在的問題，本發明提供一種基于轉接基板的裸芯片KGD篩選方法，通過轉接基板將單顆或多顆不同大小的裸芯片及不同物理分布的引出點，轉變成標準大小、標準引出點排列，從而采用標準夾具進行KGD篩選測試，降低測試成本。

本發明是通過以下技術方案來實現：

一種基于轉接基板的裸芯片KGD篩選方法，包括如下步驟：

步驟1，根據硅轉接標準基板和被測的FC裸芯片尺寸，確定硅轉接標準基板上放置的該尺寸被測的FC裸芯片數量；

步驟2，先依次在硅轉接標準基板的正面制備底部有導電材料填充的TSV盲孔、多層金屬布線和焊盤，之后將得到的硅轉接標準基板的背面減薄，露出TSV盲孔底部的導電材料，最后依次進行背面多層金屬布線和背面焊盤，完成TSV硅轉接標準基板的加工；

步驟3，將被測的FC裸芯片倒裝在TSV硅轉接標準基板上，完成被測的FC裸芯片到TSV硅轉接標準基板的鍵合；

步驟4，先將被測的FC裸芯片和TSV硅轉接標準基板之間的縫隙進行填充后固化，再將得到的標準組件通過KGD測試進行篩選。

優選的，步驟1中先將硅轉接標準基板切割劃片成單個標準基板尺寸大小，然后再確定在該硅轉接標準基板上放置的被測的FC裸芯片數量。

優選的，步驟2中在硅轉接標準基板的正面完成制備后，先和一個載片鍵合在一起，然后將該載片朝下放置，再實施TSV硅轉接標準基板的背面工藝，完成后將該載片與硅轉接標準基板解鍵合。

進一步，所述的載片粘在硅轉接標準基板的正面。