[發明專利]一種基于轉接基板的裸芯片KGD篩選方法

有效

• 申請號: 202010544602.9
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN111696879B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 匡乃亮;唐磊;李寶霞;趙超;郭雁蓉
• 申請（專利權）人: 西安微電子技術研究所
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 李鵬威

1.一種基于轉接基板的裸芯片KGD篩選方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1，根據硅轉接標準基板和被測的FC裸芯片尺寸，確定硅轉接標準基板上放置的該尺寸被測的FC裸芯片數量；

步驟2，先依次在硅轉接標準基板的正面制備底部有導電材料填充的TSV盲孔、多層金屬布線和焊盤，之后將得到的硅轉接標準基板的背面減薄，露出TSV盲孔底部的導電材料，最后依次進行背面多層金屬布線和背面焊盤，完成TSV硅轉接標準基板的加工；

步驟3，將被測的FC裸芯片倒裝在TSV硅轉接標準基板上，完成被測的FC裸芯片到TSV硅轉接標準基板的鍵合；

步驟4，先將被測的FC裸芯片和TSV硅轉接標準基板之間的縫隙進行填充后固化，再將得到的標準組件通過KGD測試進行篩選。

2.根據權利要求1所述的一種基于轉接基板的裸芯片KGD篩選方法，其特征在于，步驟1中先將硅轉接標準基板切割劃片成單個標準基板尺寸大小，然后再確定在該硅轉接標準基板上放置的被測的FC裸芯片數量。

3.根據權利要求1所述的一種基于轉接基板的裸芯片KGD篩選方法，其特征在于，步驟2中在硅轉接標準基板的正面完成制備后，先和一個載片鍵合在一起，然后將該載片朝下放置，再實施TSV硅轉接標準基板的背面工藝，完成后將該載片與硅轉接標準基板解鍵合。

4.根據權利要求3所述的一種基于轉接基板的裸芯片KGD篩選方法，其特征在于，所述的載片粘在硅轉接標準基板的正面。

5.根據權利要求1所述的一種基于轉接基板的裸芯片KGD篩選方法，其特征在于，步驟3中，被測的FC裸芯片通過熱壓鍵合、先預對準再回流鍵合或將依次鍵合在整個TSV硅轉接標準基板上。

6.根據權利要求1所述的一種基于轉接基板的裸芯片KGD篩選方法，其特征在于，步驟3中所述被測的FC裸芯片在倒裝前先在凸點上施加助焊劑，完成鍵合后對殘留的助焊劑進行清洗。

7.根據權利要求6所述的一種基于轉接基板的裸芯片KGD篩選方法，其特征在于，所述殘留的助焊劑清洗方式為高壓液體清洗、真空氣相清洗、兆聲清洗和等立體清洗中的一種或多種組合。

8.根據權利要求1所述的一種基于轉接基板的裸芯片KGD篩選方法，其特征在于，步驟4中，在被測的FC裸芯片和TSV硅轉接標準基板之間的縫隙填充液態有機膠水。

9.根據權利要求8所述的一種基于轉接基板的裸芯片KGD篩選方法，其特征在于，所述的液態有機膠水在150～250℃進行固化。