[發明專利]薄膜覆晶封裝結構

在審

• 申請號: 202010543072.6
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN113540010A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 陳必昌;江詠芳;葉修安
• 申請（專利權）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H05K1/18
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 朱穎;臧建明

1.一種薄膜覆晶封裝結構，其特征在于，包括：

可撓性線路載板，包括可撓性基板、至少一虛引腳以及多個引腳，所述可撓性基板具有芯片接合區，所述芯片接合區區分為第一接合區與環繞所述第一接合區的第二接合區，所述至少一虛引腳配置于所述可撓性基板上且位于所述第一接合區，所述多個引腳配置于所述可撓性基板上且包括位于所述第二接合區的多個內引腳部；以及

芯片，配置于所述芯片接合區，且包括多個凸塊以及多個虛凸塊，所述芯片具有對應所述第一接合區的第一區與對應所述第二接合區的第二區，其中所述多個凸塊位于所述第二區且分別連接所述多個內引腳部，而所述多個虛凸塊位于所述第一區且連接所述至少一虛引腳，所述多個虛凸塊沿著平行所述芯片的長邊的第一方向上排列成多列，相鄰兩列的所述多個虛凸塊呈交錯排列，且相鄰兩列的所述多個虛凸塊在沿著所述第一方向延伸的第一直線上的正投影互不重疊。

2.根據權利要求1所述的薄膜覆晶封裝結構，其特征在于，相鄰兩列的相鄰兩個所述多個虛凸塊在垂直所述第一直線的第二直線上的正投影互不重疊。

3.根據權利要求1所述的薄膜覆晶封裝結構，其特征在于，相鄰兩列的相鄰兩個所述多個虛凸塊在所述第一方向上的第一間距大于等于所述多個虛凸塊在所述第一方向的最小凸塊寬度的25倍。

4.根據權利要求1所述的薄膜覆晶封裝結構，其特征在于，同一列的相鄰兩個所述多個虛凸塊在所述第一方向上的第二間距是相鄰兩列的相鄰兩個所述多個虛凸塊在所述第一方向上的第一間距的兩倍。

5.根據權利要求4所述的薄膜覆晶封裝結構，其特征在于，相鄰兩列的相鄰兩個所述多個虛凸塊在所述第一方向上的所述第一間距與在垂直所述第一方向的一第二方向上的第三間距相等。

6.根據權利要求3或權利要求4所述的薄膜覆晶封裝結構，其特征在于，所述第一間距介于0.3毫米至1毫米。

7.根據權利要求1所述的薄膜覆晶封裝結構，其特征在于，所述至少一虛引腳包括多個虛引線，且所述多個虛引線分別連接相鄰兩列的相鄰兩個所述多個虛凸塊。

8.根據權利要求1所述的薄膜覆晶封裝結構，其特征在于，所述至少一虛引腳呈鋸齒狀。

9.根據權利要求1所述的薄膜覆晶封裝結構，其特征在于，所述至少一虛引腳包括多個虛引線，且所述多個虛引線分別連接同一列的相鄰兩個所述多個虛凸塊。

10.根據權利要求1所述的薄膜覆晶封裝結構，其特征在于，還包括：

封裝膠體，配置于所述可撓性線路載板與所述芯片之間，其中所述封裝膠體包覆所述多個凸塊、所述多個內引腳部、所述多個虛凸塊以及所述至少一虛引腳。