[發(fā)明專利]像素陣列基板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010543045.9 | 申請日: | 2020-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN113805389A | 公開(公告)日: | 2021-12-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周玫伶;莊堯智;陳智偉;游明璋;劉家宇 | 申請(專利權)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱穎;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣臺北市內(nèi)*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 陣列 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供一種包括基板、多個像素結(jié)構(gòu)及平坦層的像素陣列基板。基板具有多個像素區(qū)。多個像素結(jié)構(gòu)對應設置于基板的這些像素區(qū)。每一像素結(jié)構(gòu)包括主動元件、反射式電極以及輔助電極。反射式電極設置于對應的像素區(qū),且反射式電極與主動元件電性連接。輔助電極電性連接反射式電極與主動元件。反射式電極于基板上的垂直投影重疊于輔助電極于基板上的垂直投影。反射式電極于基板上的垂直投影面積不大于輔助電極于基板上的垂直投影面積。平坦層設置于輔助電極與主動元件之間,且覆蓋主動元件。一種采用此像素陣列基板的顯示裝置也被提出。
技術領域
本發(fā)明涉及一種顯示技術,尤其涉及一種像素陣列基板及顯示裝置。
背景技術
一般薄膜晶體管液晶顯示面板(TFT-LCD)可分為穿透式、反射式,以及半穿透半反射式三大類,其分類的依據(jù)在于光源的利用以及薄膜晶體管陣列基板(TFT array)的差異。其中,反射式薄膜晶體管液晶顯示面板(reflective TFT-LCD panel)主要是利用前光源(front-light)或是外界光源作為光源,其薄膜晶體管陣列基板上的像素電極為金屬或其他具有良好反射特性材質(zhì)的反射式電極,適于將前光源或是外界光源反射。目前反射式液晶顯示面板的反射式電極多設置于平坦層上,且為了增加反射式電極與平坦層之間的附著力(adhesion),通常會在反射式電極與平坦層之間設置透明導電膜,例如銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)。然而,此膜層的設置會增加額外的制程工序以及制程變異。換句話說,會造成生產(chǎn)良率的下降并增加額外的生產(chǎn)成本。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素陣列基板,其像素結(jié)構(gòu)的制程裕度較大。
本發(fā)明提供一種顯示裝置,其生產(chǎn)良率較高。
本發(fā)明的像素陣列基板,包括基板、多個像素結(jié)構(gòu)及平坦層。基板具有多個像素區(qū)。多個像素結(jié)構(gòu)對應設置于基板的這些像素區(qū)。每一像素結(jié)構(gòu)包括主動元件、反射式電極以及輔助電極。反射式電極設置于對應的像素區(qū),且反射式電極與主動元件電性連接。輔助電極電性連接反射式電極與主動元件。反射式電極于基板上的垂直投影重疊于輔助電極于基板上的垂直投影。反射式電極于基板上的垂直投影面積不大于輔助電極于基板上的垂直投影面積。平坦層設置于輔助電極與主動元件之間,且覆蓋主動元件。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的像素陣列基板的輔助電極直接接觸平坦層與反射式電極。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的像素陣列基板的輔助電極的材質(zhì)包括金屬氧化物。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的像素陣列基板的輔助電極在第一方向上具有第一寬度。反射式電極在第一方向上具有第二寬度,且第一寬度與第二寬度的差值小于等于11微米。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的像素陣列基板的輔助電極在第一方向上具有相對的第一側(cè)邊與第二側(cè)邊。反射式電極在第一方向上具有相對的第三側(cè)邊與第四側(cè)邊。第一側(cè)邊與第三側(cè)邊之間具有第一間距,第二側(cè)邊與第四側(cè)邊之間具有第二間距。第一間距與第二間距的總和為小于等于11微米。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的像素陣列基板的輔助電極的材質(zhì)包括金屬或合金。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的像素陣列基板的輔助電極在第一方向上具有第一寬度。反射式電極在第一方向上具有第二寬度,且第一寬度與第二寬度的差值大于等于0.5微米且小于等于4.5微米。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的像素陣列基板的輔助電極在第一方向上具有相對的第一側(cè)邊與第二側(cè)邊。反射式電極在第一方向上具有相對的第三側(cè)邊與第四側(cè)邊。第一側(cè)邊與第三側(cè)邊之間具有第一間距。第二側(cè)邊與第四側(cè)邊之間具有第二間距,且第一間距與第二間距的其中一者大于等于0.25微米且小于等于2.25微米。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的像素陣列基板的反射式電極具有背離基板的第一表面。輔助電極具有未被反射式電極覆蓋的第二表面,且第一表面與第二表面定義出像素結(jié)構(gòu)的反射面。
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術或工藝;變頻;非線性光學;光學
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導結(jié)構(gòu)中的





