[發明專利]像素陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請號: 202010543045.9
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN113805389A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 周玫伶;莊堯智;陳智偉;游明璋;劉家宇
• 申請（專利權）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 朱穎;臧建明

1.一種像素陣列基板，其特征在于，包括：

基板，具有多個像素區；

多個像素結構，對應設置于所述基板的所述多個像素區，每一所述像素結構包括：

主動元件；

反射式電極，設置于對應的所述像素區，且所述反射式電極與所述主動元件電性連接；以及

輔助電極，電性連接所述反射式電極與所述主動元件，其中所述反射式電極于所述基板上的垂直投影重疊于所述輔助電極于所述基板上的垂直投影，且所述反射式電極于所述基板上的垂直投影面積不大于所述輔助電極于所述基板上的垂直投影面積；以及

平坦層，設置于所述輔助電極與所述主動元件之間，且覆蓋所述主動元件。

2.根據權利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，所述輔助電極直接接觸所述平坦層與所述反射式電極。

3.根據權利要求2所述的像素陣列基板，其特征在于，所述輔助電極的材質包括金屬氧化物。

4.根據權利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，所述輔助電極在第一方向上具有第一寬度，所述反射式電極在所述第一方向上具有第二寬度，所述第一寬度與所述第二寬度的差值小于等于11微米。

5.根據權利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，所述輔助電極在第一方向上具有相對的第一側邊與第二側邊，所述反射式電極在所述第一方向上具有相對的第三側邊與第四側邊，所述第一側邊與所述第三側邊之間具有第一間距，所述第二側邊與所述第四側邊之間具有第二間距，所述第一間距與所述第二間距的總和小于等于11微米。

6.根據權利要求2所述的像素陣列基板，其特征在于，所述輔助電極的材質包括金屬或合金。

7.根據權利要求6所述的像素陣列基板，其特征在于，所述輔助電極在第一方向上具有第一寬度，所述反射式電極在所述第一方向上具有第二寬度，所述第一寬度與所述第二寬度的差值大于等于0.5微米且小于等于4.5微米。

8.根據權利要求6所述的像素陣列基板，其特征在于，所述輔助電極在第一方向上具有相對的第一側邊與第二側邊，所述反射式電極在所述第一方向上具有相對的第三側邊與第四側邊，所述第一側邊與所述第三側邊之間具有第一間距，所述第二側邊與所述第四側邊之間具有第二間距，且所述第一間距與所述第二間距的其中一者大于等于0.25微米且小于等于2.25微米。

9.根據權利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，所述反射式電極具有背離所述基板的第一表面，所述輔助電極具有未被所述反射式電極覆蓋的第二表面，且所述第一表面與所述第二表面定義出所述像素結構的反射面。

10.根據權利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，所述反射式電極為透明保護層與金屬反射層的堆疊結構，且所述金屬反射層設置于所述透明保護層與所述輔助電極之間。

11.根據權利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，所述輔助電極于可見光波段的反射率不同于所述反射式電極于可見光波段的反射率。

12.根據權利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，所述反射式電極的材質包括銀或銀合金，所述輔助電極為金屬層與金屬氧化層的堆疊結構，且所述金屬氧化層設置于所述金屬層與所述平坦層之間。