[發明專利]用于處理基板的裝置和方法

在審

• 申請號: 202010542971.4
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN112086380A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 金大城;樸恩雨
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 侯志源

本發明涉及一種用于處理基板的裝置和方法。裝置包括：具有處理空間的多個工藝腔室，所述工藝腔室配置為在處理空間中處理基板；以及排氣單元，其用于從處理空間排出氣體。所述排氣單元包括多個單獨排氣管，其直接連接到一個工藝腔室或多個工藝腔室中的處理空間；主排氣管，其連接到所述多個單獨排氣管；減壓構件，其安置在所述主排氣管中以減小所述處理空間的壓力；以及阻尼器構件，其安裝在各所述單獨排氣管中以調節通過所述單獨排氣管排出的氣體的量。所述阻尼器構件包括第一阻尼器，其調節從所述處理空間排出的氣體的量，以及第二阻尼器，其布置在所述第一阻尼器下游以緩沖通過調節第一阻尼器引起的壓力變化。

相關申請的交叉引用

本發明要求2019年6月13日提交的韓國專利申請號10-2019-0069697的優先權和權益，該韓國專利申請的全部內容通過引用整體并入本文。

技術領域

本文中描述的發明構思的實施方案涉及用于處理基板的裝置和方法。

背景技術

為了制造半導體設備，進行諸如清潔工藝、沉積工藝、光刻工藝、蝕刻工藝、和離子注入工藝的各種工藝。該工藝在腔室中執行，在該腔室中具有處理空間。

通常，腔室中的處理空間具有均勻地維持的特定空氣氣氛。因此，工藝氣氛通過排氣設備而排出，使得預設壓力被維持。排氣設備不僅維持特定壓力下的工藝氣氛，而且還排出基板處理中產生的工藝副產物。

例如，諸如煙氣的工藝副產物在對基板執行液體處理或對基板執行烘烤工藝的過程中產生，并由排氣設備排出。

排氣設備包括單獨管道，該單獨管道連接至對基板執行液體處理的液體處理腔室、或對基板執行熱處理的烘烤腔室；以及從各單獨管道連接的主管道。單獨管道將腔室連接到主管道，并且主管道的壓力通過減壓構件減小。在腔室中產生的工藝副產物通過依次穿過單獨管道和主導管而被排出。

阻尼器被安裝在各管道中，以通過調節管道的截面積來調節從腔室排出的氣體的量。然而，當各阻尼器打開或關閉時，在相鄰的阻尼器中會發生壓力變化，從而由于這種管道干擾而在管道內部引起壓力振蕩(hunting)現象。另外，由于各管道具有矩形形狀，因此在氣體在管道內部流動的過程中引起排氣損失。

發明內容

本發明構思的實施方案提供了一種裝置和方法，該裝置和方法能夠通過在單獨排氣管中安裝第一阻尼器和第二阻尼器來最小化壓力振蕩現象，該第二阻尼器調節與相鄰的第一阻尼器的干擾現象(interference phenomenon)。

本發明構思的實施方案提供了一種裝置和方法，該裝置和方法能夠通過在排氣在其上移動的路徑上形成斜坡部件來最小化排氣損失。

根據一示例性實施方案，設置了用于處理基板的裝置。用于處理基板的裝置可以包括：多個工藝腔室，在所述工藝腔室中具有處理空間以在所述處理空間中處理所述基板；以及排氣單元，其從所述處理空間排出氣體。所述排氣單元可以包括：多個單獨排氣管，所述多個單獨排氣管直接連接到一個工藝腔室或多個工藝腔室中的處理空間；主排氣管，所述主排氣管連接到所述多個單獨排氣管；減壓構件，所述減壓機構安置在所述主排氣管中以減小所述處理空間的壓力；和阻尼器構件，所述阻尼器構件安裝在各所述單獨排氣管中以調節通過所述單獨排氣管排出的氣體的量。所述阻尼器構件可以包括：第一阻尼器，其用于調節從所述處理空間排出的氣體的量；以及第二阻尼器，所述第二阻尼器設置在所述第一阻尼器的下游以緩沖通過調節所述第一阻尼器引起的壓力變化。

根據一實施方案，所述裝置可以進一步包括外部空氣引入構件，所述外部空氣引入構件安置在各所述單獨排氣管中以引入外部空氣。

根據一實施方案，所述第二阻尼器可以設置在所述外部空氣引入構件的下游。