[發(fā)明專利]用于處理基板的裝置和方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010542971.4
• 申請(qǐng)日: 2020-06-15
• 公開（公告）號(hào): CN112086380A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金大城;樸恩雨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 細(xì)美事有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 侯志源

1.一種用于處理基板的裝置，所述裝置包括：

多個(gè)工藝腔室，在各所述工藝腔室中具有處理空間，并且所述多個(gè)工藝腔室配置為在所述處理空間中處理基板；和

排氣單元，所述排氣單元配置為從所述處理空間排出氣體，

其中，所述排氣單元包括：

多個(gè)單獨(dú)排氣管，所述多個(gè)單獨(dú)排氣管直接連接到一個(gè)工藝腔室或所述多個(gè)工藝腔室中的所述處理空間；

主排氣管，所述主排氣管連接到所述多個(gè)單獨(dú)排氣管；

減壓構(gòu)件，所述減壓構(gòu)件安置在所述主排氣管中以減小所述處理空間的壓力；和

阻尼器構(gòu)件，所述阻尼器構(gòu)件安裝在各所述單獨(dú)排氣管中以調(diào)節(jié)通過所述單獨(dú)排氣管排出的氣體的量，并且

其中，所述阻尼器構(gòu)件包括：

第一阻尼器，所述第一阻尼器用于調(diào)節(jié)從所述處理空間排出的氣體的量；和

第二阻尼器，所述第二阻尼器設(shè)置在所述第一阻尼器的下游以緩沖通過調(diào)節(jié)所述第一阻尼器而引起的壓力變化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其還包括：

外部空氣引入構(gòu)件，所述外部空氣引入構(gòu)件安置在各所述單獨(dú)排氣管中以引入外部空氣。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述第二阻尼器設(shè)置在所述外部空氣引入構(gòu)件的下游。

4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)所述的裝置，其還包括：

控制器，所述控制器用于控制所述阻尼器構(gòu)件，

其中，所述控制器控制所述第一阻尼器，使得在所述處理空間中執(zhí)行處理的情況下，改變所述第一阻尼器的開口率。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，當(dāng)在各所述處理空間中正在執(zhí)行所述處理的情況下，所述控制器控制所述第二阻尼器以維持有預(yù)設(shè)的固定開口率。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述單獨(dú)排氣管包括：

第一排氣部，所述第一排氣部連接到各所述處理空間；和

第二排氣部，所述第二排氣部從所述第一排氣部的下端沿與所述第一排氣部的縱向方向不同的方向延伸，且具有安裝在所述第二排氣部中的所述阻尼器構(gòu)件，以及

其中，在面對(duì)所述第一排氣部和所述第二排氣部之間的連接區(qū)域的拐角處形成有斜坡。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述單獨(dú)排氣管分別從兩個(gè)相鄰的處理空間排出氣體，

其中，所述單獨(dú)排氣管包括：

第一排氣管，所述第一排氣管連接到所述處理空間的第一處理空間；

第二排氣管，所述第二排氣管連接到所述處理空間的第二處理空間；和

連接管，所述連接管配置為將所述第一排氣管連接到所述第二排氣管，并且所述連接管連接到所述主排氣管，并且

其中，所述阻尼器構(gòu)件安置在所述連接管中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中，所述第一排氣管和所述第二排氣管以“V”形布置并連接到所述連接管。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中，所述連接管形成為使得所述連接管與所述主排氣管之間的連接區(qū)域的內(nèi)部截面積朝向所述主排氣管逐漸增大。

10.一種使用權(quán)利要求1所述的用于處理基板的裝置來處理所述基板的方法，所述方法包括：

在各所述處理空間中正在執(zhí)行處理的情況下，在各所述單獨(dú)排氣管中，維持所述第二阻尼器的預(yù)設(shè)的開口率；以及改變所述第一阻尼器的開口率。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，對(duì)所述基板的處理是執(zhí)行在所述基板上形成光刻膠膜的處理。