[發(fā)明專利]半導(dǎo)體工藝設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010542937.7 | 申請日: | 2020-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN111725099B | 公開(公告)日: | 2023-08-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 成航航;崔詠琴;林源為 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 工藝設(shè)備 | ||
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備,包括工藝腔室,所述工藝腔室具有相互連通的進(jìn)氣孔和工藝腔;間隔件,所述間隔件設(shè)置于所述工藝腔內(nèi),所述間隔件的外緣與所述工藝腔室的側(cè)壁密封配合,所述工藝腔被所述間隔件分隔為發(fā)生腔和反應(yīng)腔,所述進(jìn)氣孔與所述發(fā)生腔連通,所述間隔件具有連通孔,所述連通孔沿厚度方向貫穿所述間隔件,所述發(fā)生腔和所述反應(yīng)腔通過所述連通孔連通;線圈,所述線圈設(shè)置于所述工藝腔內(nèi),且所述線圈環(huán)繞所述工藝腔的進(jìn)氣路徑設(shè)置;線圈驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),設(shè)置在所述工藝腔室上,所述線圈驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)與所述線圈連接,所述線圈驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述線圈沿所述進(jìn)氣孔的軸向移動(dòng)。上述方案可以解決目前調(diào)整線圈的位置較為困難,影響生產(chǎn)節(jié)奏的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備。
背景技術(shù)
在晶圓等半導(dǎo)體的加工過程中,刻蝕是必不可少的一個(gè)過程。目前,通常采用等離子體對晶圓進(jìn)行刻蝕,半導(dǎo)體工藝設(shè)備通常采用射頻線圈耦合氣體的方式形成等離子體。半導(dǎo)體工藝設(shè)備設(shè)有進(jìn)氣孔和反應(yīng)腔,靜電卡盤放置在反應(yīng)腔內(nèi),晶圓等待加工件承載于靜電卡盤上,為了保證自進(jìn)氣孔進(jìn)入的氣體在移動(dòng)待加工件處的過程中能夠被離化成等離子體,通常需要使線圈與待加工件相互間隔。線圈與待加工件之間距離較小時(shí),等離子體的離化效果和均勻度相對較高,可以提升刻蝕效果,線圈與待加工件之間距離較大時(shí),線圈與待加工件之間的電磁場分布情況發(fā)生變化,可以改善待加工件邊緣傾斜的情況,為了平衡上述情況,通常使線圈處于一個(gè)中間位置。但是,在工藝種類不同的情況下,線圈的中間位置通常也不同,目前通常需要停機(jī)調(diào)整線圈的位置,影響生產(chǎn)節(jié)奏,且調(diào)整難度大。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備,以解決目前調(diào)整線圈的位置較為困難,影響生產(chǎn)節(jié)奏的問題。
為了解決上述問題,本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:
一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備,其包括:
工藝腔室,所述工藝腔室具有相互連通的進(jìn)氣孔和工藝腔;
間隔件,所述間隔件設(shè)置于所述工藝腔內(nèi),所述間隔件的外緣與所述工藝腔室的側(cè)壁密封配合,所述工藝腔被所述間隔件分隔為發(fā)生腔和反應(yīng)腔,所述進(jìn)氣孔與所述發(fā)生腔連通,所述間隔件具有連通孔,所述連通孔沿厚度方向貫穿所述間隔件,所述發(fā)生腔和所述反應(yīng)腔通過所述連通孔連通;
線圈,所述線圈設(shè)置于所述工藝腔內(nèi),且所述線圈環(huán)繞所述工藝腔的進(jìn)氣路徑設(shè)置;
線圈驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),設(shè)置在所述工藝腔室上,所述線圈驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)與所述線圈連接,所述線圈驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述線圈沿所述進(jìn)氣孔的軸向移動(dòng)。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案能夠達(dá)到以下有益效果:
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備,其包括工藝腔室、間隔件、線圈和線圈驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),線圈驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)與線圈連接,且線圈驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)可以驅(qū)動(dòng)線圈沿進(jìn)氣孔的軸向移動(dòng),進(jìn)而在生產(chǎn)過程中,可以借助線圈驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)直接改變線圈的位置,操作簡單,且基本不會(huì)對生產(chǎn)節(jié)奏產(chǎn)生影響。
附圖說明
此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解,構(gòu)成本發(fā)明的一部分,本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
圖1為本發(fā)明實(shí)施例公開的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的一種結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明實(shí)施例公開的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的另一種結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明實(shí)施例公開的半導(dǎo)體工藝設(shè)備中間隔件的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為本發(fā)明實(shí)施例公開的半導(dǎo)體工藝設(shè)備中間隔件的剖面圖;
圖5為本發(fā)明實(shí)施例公開的半導(dǎo)體工藝設(shè)備中進(jìn)氣孔與線圈的配合示意圖;
圖6為本發(fā)明實(shí)施例公開的半導(dǎo)體工藝設(shè)備中線圈的一種結(jié)構(gòu)示意圖;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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