[發(fā)明專利]復(fù)合物及其制備方法、量子點(diǎn)發(fā)光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010542831.7
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN113809244B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何斯納;吳龍佳;吳勁衡
• 申請（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 黃志云

本發(fā)明涉及發(fā)光顯示技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種復(fù)合物及其制備方法，以及一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管。其中，所述復(fù)合物包括金屬化合物和硼化石墨炔，且所述金屬化合物和所述硼化石墨炔通過配位鍵結(jié)合。本發(fā)明提供的復(fù)合物，將硼化石墨炔摻雜到金屬化合物晶體中，可以明顯增強(qiáng)金屬化合物的本征空穴強(qiáng)度，提高空穴遷移率。此外，由于硼化石墨炔中的硼原子與金屬原子之間存在較強(qiáng)的親和力，因此，硼化石墨炔與金屬化合物復(fù)合后，不易形成間隙受主缺陷，從而更有利于空穴的傳輸。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于發(fā)光顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種復(fù)合物及其制備方法，以及一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管。

背景技術(shù)

由于半導(dǎo)體量子點(diǎn)(Semiconductor quantum dots，QDs)具有量子尺寸效應(yīng)，人們可以通過調(diào)控量子點(diǎn)的大小來實(shí)現(xiàn)所需要的特定波長的發(fā)光，如CdSe QDs的發(fā)光波長可以從藍(lán)光調(diào)諧至紅光。傳統(tǒng)的無機(jī)量子點(diǎn)發(fā)光二極管中，電子和空穴分別從陰極和陽極注入，然后在發(fā)光層復(fù)合形成激子發(fā)光。近年來，無機(jī)半導(dǎo)體作為空穴傳輸層成引起科研學(xué)者的關(guān)注，并成為較為熱門的研究內(nèi)容。在一些量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum Dot LightEmitting Diodes，QLED)中，過渡金屬氧化物(WO₃，MoO₃，NiO，Cu₂O，ReO₃和V₂O₅)被用作陽極緩沖層，并取得不錯的性能，尤其是具有較深電子能級態(tài)和有效空穴注入的氧化鉬。

石墨炔由sp和sp²雜化形成的一種新型碳的同素異形體，它是由1,3-二炔鍵將苯環(huán)共軛連接形成二維平面網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，具有豐富的碳化學(xué)鍵，大的共軛體系、寬面間距、多孔、優(yōu)良的化學(xué)和熱穩(wěn)定性和半導(dǎo)體性能、力學(xué)、催化和磁學(xué)等性能，是繼富勒烯、碳納米管、石墨烯之后，一種新的全碳二維平面結(jié)構(gòu)材料。自2010年我們首次通過化學(xué)合成獲得以來，石墨炔吸引了來自化學(xué)、物理、材料、電子、微電子和半導(dǎo)體領(lǐng)域的科學(xué)家對其誘人的半導(dǎo)體、光學(xué)、儲能、催化和機(jī)械性能進(jìn)行了探索。石墨炔特殊的電子結(jié)構(gòu)和孔洞結(jié)構(gòu)使其在信息技術(shù)、電子、能源、催化以及光電等領(lǐng)域具有潛在、重要的應(yīng)用前景，近幾年石墨的基礎(chǔ)和應(yīng)用研究已取得了重要成果，并迅速成為了碳材料研究中的新領(lǐng)域。將石墨炔用于空穴傳輸材料，目前沒有相關(guān)報道。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種復(fù)合物及其制備方法，以及一種包含上述復(fù)合物的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，旨在提高現(xiàn)有金屬化合物的空穴傳輸性能。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

第一方面，本發(fā)明提供一種復(fù)合物，包括金屬化合物和硼化石墨炔，且所述金屬化合物和所述硼化石墨炔通過配位鍵結(jié)合。

第二方面，本發(fā)明提供一種復(fù)合物的制備方法，包括以下步驟：

提供金屬化合物的前驅(qū)體和硼化石墨炔的分散液，將所述金屬化合物的前驅(qū)體和所述硼化石墨炔的分散液混合，反應(yīng)制備金屬化合物并在金屬化合物中摻雜硼化石墨炔，得到所述復(fù)合物。

第三方面，本發(fā)明提供一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括相對設(shè)置的陽極和陰極，設(shè)置在所述陽極和所述陰極之間的量子點(diǎn)發(fā)光層，以及設(shè)置在所述陽極和所述量子點(diǎn)發(fā)光層之間的空穴傳輸層；其中，所述空穴傳輸層的材料為復(fù)合物，且所述復(fù)合物包括金屬化合物和硼化石墨炔。