[發明專利]復合物及其制備方法、量子點發光二極管

有效

• 申請號: 202010542831.7
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN113809244B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 何斯納;吳龍佳;吳勁衡
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 黃志云

1.一種復合物，其特征在于，包括金屬化合物和硼化石墨炔，且所述金屬化合物和所述硼化石墨炔通過配位鍵結合，其中，硼原子替代石墨炔晶格中的部分碳原子晶格位，所述硼化石墨炔中的硼原子與所述金屬化合物中的金屬原子之間形成配位鍵結合，所述硼化石墨炔和所述金屬化合物的摩爾比為0.1～0.3：1，所述金屬化合物選自用于空穴傳輸的金屬化合物材料。

2.如權利要求1所述的復合物，其特征在于，所述硼化石墨炔中，硼原子和石墨炔分子的摩爾比為0.1～0.4：1。

3.如權利要求1至2任一項所述的復合物，其特征在于，所述復合物由金屬化合物和硼化石墨炔組成。

4.如權利要求1或2所述的復合物，其特征在于，所述金屬化合物選自NiO納米材料、MoO₃納米材料和V₂O₅納米材料中的至少一種。

5.一種復合物的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供金屬化合物的前驅體和硼化石墨炔的分散液，將所述金屬化合物的前驅體和所述硼化石墨炔的分散液混合，反應制備金屬化合物并在金屬化合物中摻雜硼化石墨炔，得到所述復合物，所述復合物中，硼原子替代石墨炔晶格中的部分碳原子晶格位，所述硼化石墨炔中的硼原子與所述金屬化合物中的金屬原子之間形成配位鍵結合，所述硼化石墨炔和所述金屬化合物的摩爾比為0.1～0.3：1，所述金屬化合物選自用于空穴傳輸的金屬化合物材料。

6.如權利要求5所述的復合物的制備方法，其特征在于，所述硼化石墨炔的制備方法為：

將石墨炔粉末和氧化硼的混合物置于加熱容器中，對所述加熱容器進行排氣處理；在惰性氣氛下，將所述混合物進行加熱處理，保溫反應，制備硼化石墨炔。

7.如權利要求6所述的復合物的制備方法，其特征在于，所述保溫反應的條件為：在溫度為900℃～1100℃的條件下，保溫4小時～6小時。

8.如權利要求6或7所述的復合物的制備方法，其特征在于，在所述保溫反應的步驟之后，還包括：冷卻至室溫；采用堿液對冷卻后的反應產物進行清洗處理。

9.一種量子點發光二極管，其特征在于，包括相對設置的陽極和陰極，設置在所述陽極和所述陰極之間的量子點發光層，以及設置在所述陽極和所述量子點發光層之間的空穴傳輸層；其中，所述空穴傳輸層的材料為復合物，且所述復合物包括金屬化合物和硼化石墨炔，且所述金屬化合物和所述硼化石墨炔通過配位鍵結合，所述復合物中，硼原子替代石墨炔晶格中的部分碳原子晶格位，所述硼化石墨炔中的硼原子與所述金屬化合物中的金屬原子之間形成配位鍵結合，所述硼化石墨炔和所述金屬化合物的摩爾比為0.1～0.3：1，所述金屬化合物選自用于空穴傳輸的金屬化合物材料。

10.如權利要求9所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述硼化石墨炔中，硼原子和石墨炔分子的摩爾比為0.1～0.4：1。

11.如權利要求9或10所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述復合物由金屬化合物和硼化石墨炔組成。

12.如權利要求9或10所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述金屬化合物選自NiO納米材料、MoO₃納米材料和V₂O₅納米材料中的至少一種。

13.如權利要求 9或10所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述量子點發光二極管還包括：設置在所述陽極和所述空穴傳輸層之間的空穴注入層；和/或

所述量子點發光二極管還包括：設置在所述陰極和所述量子點發光層之間的電子功能層。