[發明專利]涂布系統及其校正方法

有效

• 申請號: 202010542772.3
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN113019835B
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 張勝凱
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: B05C13/02
• 分類號: B05C13/02
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 浦彩華;姚開麗

本發明公開了一種涂布系統及其校正方法，涂布系統包括多個支撐針、吸附平面以及校正盤。吸附平面位于多個支撐針之間，校正盤用以配置在多個支撐針或吸附平面上。校正盤包括圓形上部表面以及圓形底部表面。圓形底部表面相對于圓形上部表面。圓形底部表面包括圓形平面以及圍繞圓形平面的承靠壁，且圓形平面的邊緣和圓形底部表面的邊緣同心。承靠壁用以限制多個支撐針的水平移動，且圓形平面用以覆蓋吸附平面。借此，本發明的涂布系統，可以有效校正支撐針和吸附平面的位置。

技術領域

本發明是有關于一種半導體元件的制作系統及其校正方法，特別是有關于一種涂布系統及其校正方法。

背景技術

光刻技術利用光來自光罩轉印幾何結構至基板上的光敏化合物。一系列化學處理接著將被光阻暴露的圖案蝕刻到材料中，或者使新材料以所需的圖案轉印在光阻下面的材料上。在復雜的集成電路制成中，光刻技術是制造半導體元件的主要技術之一。

在光照后以顯影劑移除部分光阻之前，基板上的光阻層可以在涂布系統中完成。然而，在涂布制成中，移動以及轉動中所產生的碰撞以及刮傷會造成基板上的刮痕，而上述刮痕會在后續例如是顯影的工藝中進一步形成缺陷，進而降低半導體元件的良率。

發明內容

本發明的目的在于提供一種涂布系統及其校正方式，可以有效校正支撐針和吸附平面的位置。

本發明一實施例的涂布系統包括多個支撐針、吸附平面以及校正盤。吸附平面位于多個支撐針之間，校正盤用以配置在多個支撐針或吸附平面上。校正盤包括圓形上部表面以及圓形底部表面。圓形底部表面相對于圓形上部表面。圓形底部表面包括圓形平面以及圍繞圓形平面的承靠壁，且圓形平面的邊緣和圓形底部表面的邊緣同心。承靠壁用以限制多個支撐針的水平移動，且圓形平面用以覆蓋吸附平面。

在本發明的一實施例中，上述的多個支撐針包括尖端。多個支撐針的多個尖端用以在支撐位置以及收納位置之間移動。支撐位置位于吸附平面之上，且收納位置位于吸附平面之下。

在本發明的一實施例中，上述的多個支撐針和吸附平面是用以支撐晶圓，且晶圓的直徑和圓形上部表面的邊緣的直徑相同。

在本發明的一實施例中，上述的圓形上部表面的直徑落在298毫米至300毫米的范圍。

在本發明的一實施例中，上述的圓形平面的直徑落在170毫米至180毫米的范圍。

在本發明的一實施例中，上述的校正盤的材料包括玻璃或金屬。

在本發明的一實施例中，上述的圓形底部表面包括圍繞圓形平面的環狀底部平面，且圓形平面位于環狀底部平面的下方，且承靠壁連接圓形平面至環狀底部平面。

在本發明的一實施例中，上述的圓形平面相對于環狀底部平面的深度落在1毫米至2毫米的范圍。

在本發明的一實施例中，上述的校正盤包括圓形基板以及環狀基板。圓形基板包括圓形平面。環狀基板包括環狀上部平面、相對于環狀上部平面的環狀底部平面，以及中間孔。圓形基板連接環狀基板的環狀上部平面并覆蓋中間孔于環狀上部平面的開口，且圓形平面位于環狀底部平面的下方，中間孔露出圓形平面。

本發明一實施例的涂布系統的校正方法包括：提高涂布系統的多個支撐針的尖端至支撐位置；配置校正盤至多個支撐針；收起多個支撐針的多個尖端至收納位置并配置校正盤至吸附平面，收納位置位于吸附平面的下方；以吸附平面吸附校正盤并提供壓力值；以及比較壓力值以及預設范圍。

在本發明的一實施例中，上述的校正方法，還包括：當壓力值沒有落在預設范圍時，重新校正多個支撐針的支撐位置、收納位置或吸附平面的位置。

在本發明的一實施例中，上述的多個支撐針支撐校正盤的圓形平面。當校正盤配置在多個支撐針時，校正盤的承靠壁限制多個支撐針在圓形底部平面上的水平位置。吸附平面用以吸附承靠壁所環繞的圓形平面。