[發(fā)明專利]濺射裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010542198.1
• 申請(qǐng)日: 2020-06-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112144026B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大久保裕夫;小林大士;小野貴裕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社愛(ài)發(fā)科
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/14
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李婷;王瑋

本發(fā)明目的是使薄膜的面內(nèi)的特性分布變得均勻的濺射裝置的開(kāi)閉作業(yè)變得容易。在由靶極側(cè)真空槽（11a）與基板側(cè)真空槽（11b）構(gòu)成的真空槽（11）中，令電極板（28a、28b）的重量支承于靶極側(cè)真空槽（11a），將電極板（28a、28b）配置于靶極13的短邊上而縮短靶極（13）與接地電位之間的距離，令基板（16）上的等離子均勻化。基板側(cè)真空槽（11b）的內(nèi)部被輕量化，所以在令基板側(cè)真空槽（11b）移動(dòng)而開(kāi)閉真空槽（11）時(shí)，開(kāi)閉作業(yè)變得容易。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及濺射技術(shù)，特別涉及使金屬薄膜的面內(nèi)的特性分布成為均勻的濺射技術(shù)。

背景技術(shù)

借助濺射方法進(jìn)行的薄膜形成是被廣泛使用的技術(shù)，近年來(lái)，為了在大型基板上形成薄膜，要求在大面積基板上形成特性分布均勻的薄膜的技術(shù)。

圖9（俯視圖和E－E線、F－F線截?cái)嗥室晥D）的等離子裝置102在陰極電極112的表面配置有靶極113，在背面設(shè)置有多個(gè)磁鐵裝置115₁～115₅，所述磁鐵裝置115₁～115₄在磁軛127上配置有外周磁鐵125和內(nèi)側(cè)磁鐵126，如果靶極113被濺射，則在與靶極113面對(duì)而配置在基板配置部114上的基板116的表面上形成薄膜。

在基板116的外周上配置有陽(yáng)極電極117，使得在靶極113表面上形成的等離子變得均勻。

但是，基板116更加大型化，隨之而靶極113及磁鐵裝置115₁～115₄大型化，結(jié)果在基板116的距短邊較近的區(qū)域和其之間的中央的部分上，形成的薄膜的特性的差異變大。

如果短邊部分的薄膜的電阻值與中央部分的薄膜的電阻值較大地不同，則在基板表面上形成的發(fā)光層的發(fā)光分布不同，成為不均勻的明亮度的畫面。

在下述專利文獻(xiàn)中，記載有配置與能夠移動(dòng)的磁控管等離子連動(dòng)的接地電位電極而實(shí)現(xiàn)了膜質(zhì)及膜厚的均勻化的對(duì)應(yīng)于大型基板的磁控管濺射裝置。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)平07－331433號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是為了解決上述以往技術(shù)的不良狀況而做出的，其目的是使在大型基板表面上形成的薄膜的特性分布變得均勻，特別是使距細(xì)長(zhǎng)的磁控管磁鐵的端部較近的基板的邊緣附近的區(qū)域的薄膜特性與基板的中央附近的區(qū)域的薄膜特性的差異變小。

此外，本發(fā)明的另一目的在于能夠減輕鍍膜后的電極板的重量，并且能夠容易地更換電極板。

為了解決上述課題，本發(fā)明是一種濺射裝置，具有：真空槽；靶極，配置在前述真空槽的內(nèi)部；陰極電極，與配置在前述靶極的背面?zhèn)鹊臑R射電源連接；多個(gè)磁鐵裝置，配置在前述陰極電極的背面?zhèn)龋换迮渲貌浚渲没澹灰约碍h(huán)形形狀的陽(yáng)極電極，連接在接地電位上，在前述基板的外周上覆蓋；在各前述磁鐵裝置中，設(shè)置有細(xì)長(zhǎng)的環(huán)形形狀的外周磁鐵和配置在其內(nèi)側(cè)的內(nèi)側(cè)磁鐵；在前述外周磁鐵與其內(nèi)側(cè)的前述內(nèi)側(cè)磁鐵之間形成的磁束被泄漏到前述靶極的表面，將前述靶極濺射，在前述基板表面上形成薄膜；前述外周磁鐵和其內(nèi)側(cè)的前述內(nèi)側(cè)磁鐵隔開(kāi)，作為前述外周磁鐵與其內(nèi)側(cè)的前述內(nèi)側(cè)磁鐵之間的區(qū)域的等離子區(qū)域被設(shè)成細(xì)長(zhǎng)的環(huán)形形狀；在前述等離子區(qū)域的兩端與前述基板的表面所位于的平面之間，配置有連接到接地電位的電極板；使前述電極板的表面與前述靶極的表面之間的TB距離比前述陽(yáng)極電極的表面與前述靶極的表面之間的TA距離短，且前述電極板配置在前述靶極的沿著前述等離子區(qū)域的兩端而設(shè)置的兩邊上。

本發(fā)明是一種濺射裝置，前述真空槽構(gòu)成為，能夠分離為在內(nèi)部配置有前述靶極的靶極側(cè)真空槽與在內(nèi)部配置有前述陽(yáng)極電極的基板側(cè)真空槽，在前述靶極側(cè)真空槽與前述基板側(cè)真空槽密接連接的狀態(tài)下，前述靶極和前述陽(yáng)極電極被鉛直地配置，前述電極板的重量由前述靶極側(cè)真空槽支承，在令前述靶極側(cè)真空槽與前述基板側(cè)真空槽分離時(shí)，在前述靶極側(cè)真空槽靜止的狀態(tài)下，前述基板側(cè)真空槽移動(dòng)。