[發(fā)明專利]濺射裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010542198.1
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN112144026B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大久保裕夫;小林大士;小野貴裕
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社愛發(fā)科
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/14
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李婷;王瑋

1.一種濺射裝置，具有：

真空槽；

靶極，配置在前述真空槽的內(nèi)部；

陰極電極，配置在前述靶極的背面?zhèn)惹遗c濺射電源連接；

多個磁鐵裝置，配置在前述陰極電極的背面?zhèn)龋?/p>

基板配置部，配置基板；以及

環(huán)形形狀的陽極電極，連接在接地電位上，在前述基板的外周上覆蓋；

在各前述磁鐵裝置中，設(shè)置有細(xì)長的環(huán)形形狀的外周磁鐵和配置在其內(nèi)側(cè)的內(nèi)側(cè)磁鐵；

在前述外周磁鐵與其內(nèi)側(cè)的前述內(nèi)側(cè)磁鐵之間形成的磁束被泄漏到前述靶極的表面，將前述靶極濺射，在前述基板表面上形成薄膜；

其特征在于，

前述外周磁鐵和其內(nèi)側(cè)的前述內(nèi)側(cè)磁鐵隔開，作為前述外周磁鐵與其內(nèi)側(cè)的前述內(nèi)側(cè)磁鐵之間的區(qū)域的等離子區(qū)域被設(shè)成細(xì)長的環(huán)形形狀；

在前述等離子區(qū)域的前述細(xì)長的環(huán)形形狀的短邊側(cè)的兩端與前述基板的表面所位于的平面之間，配置有連接到接地電位的電極板；

使前述電極板的表面與前述靶極的表面之間的TB距離比前述陽極電極的表面與前述靶極的表面之間的TA距離短，使前述TB距離比前述靶極的表面與配置在前述基板配置部上的前述基板的表面之間的TS距離的10%大，

前述電極板僅配置在前述靶極的沿前述等離子區(qū)域的前述短邊側(cè)的兩端而設(shè)置的兩邊上，

前述真空槽構(gòu)成為，能夠分離為在內(nèi)部配置有前述靶極的靶極層真空槽與在內(nèi)部配置有前述陽極電極的基板側(cè)真空槽，

在前述靶極側(cè)真空槽與前述基板側(cè)真空槽密接連接的狀態(tài)下，前述靶極和前述陽極電極被鉛直地配置，前述電極板的重量由前述靶極側(cè)真空槽支承，

在令前述靶極側(cè)真空槽與前述基板側(cè)真空槽分離時，在前述靶極側(cè)真空槽靜止的狀態(tài)下，前述基板側(cè)真空槽移動。

2.如權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其特征在于，

前述TB距離比前述靶極的表面與配置在前述基板配置部上的前述基板的表面之間的TS距離的90%小。

3.如權(quán)利要求1或2所述的濺射裝置，其特征在于，

前述靶極是平板狀的金屬鉬板，前述薄膜是金屬鉬薄膜。