[發明專利]固態成像裝置在審
| 申請號: | 202010542124.8 | 申請日: | 2020-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN113380838A | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發明(設計)人: | 李京樺;張育淇;林正軒;吳翰林 | 申請(專利權)人: | 采鈺科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 聶慧荃;閆華 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 成像 裝置 | ||
本公開實施例提供一種固態成像裝置。固態成像裝置包含多個光電轉換元件。固態成像裝置也包含一第一彩色濾光片層,其設置于光電轉換元件上方并具有多個第一彩色濾光片區段。固態成像裝置還包含一第二彩色濾光片層,其設置于光電轉換元件上方并與第一彩色濾光片層相鄰,且具有多個第二彩色濾光片區段。固態成像裝置包含一第一網格結構,其設置于第一彩色濾光片層與第二彩色濾光片層之間且具有一第一網格高度。固態成像裝置也包含一第二網格結構,其設置于第一彩色濾光片區段之間與第二彩色濾光片區段之間且具有一第二網格高度,第二網格高度低于或等于第一網格高度。
技術領域
本公開實施例涉及一種成像裝置,尤其涉及一種包含網格結構的固態成像裝置,網格結構具有不同的網格高度。
背景技術
固態成像裝置,例如電荷耦合元件(charge-coupled device,CCD)成像裝置、互補式金屬氧化物半導體(complementary metal-oxide semiconductor,CMOS)成像裝置等已經廣泛使用于各種圖像拍攝設備,例如數字靜止圖像相機、數字攝影機和類似的設備。固態成像裝置中的光感測部分可形成在多個像素中的每個像素處,并且可以根據在光感測部分中所接收的光量產生信號電荷。此外,可以傳送和放大在光感測部分中產生的信號電荷,進而獲得圖像信號。
在固態成像裝置中,網格結構可用于將不同的彩色濾光片層分開。然而,一般的網格結構具有不變的(constant)網格高度,其可能會將光分裂(split)和繞射(diffract)為沿不同方向傳播的幾束光束,像是一種繞射光柵(diffraction grating),進而在獲得的圖像中造成花瓣狀的光斑(petal flare)。此外,在一般的固態成像裝置中,不同的彩色濾光片層之間可能會發生混色(crosstalk)。因此,固態成像裝置的設計和制造仍然存在各種挑戰。
發明內容
本公開的目的在于提供一種固態成像裝置,以解決上述至少一個問題。
在本公開的一些實施例中,固態成像裝置包含具有不同的網格高度的網格結構,其可防止網格結構產生繞射,進而提高來自固態成像裝置的光電轉換元件的圖像信號的品質。
根據本公開的一些實施例,提供一種固態成像裝置。固態成像裝置包含多個光電轉換元件。固態成像裝置也包含一第一彩色濾光片層,第一彩色濾光片層設置于光電轉換元件上方,并具有多個第一彩色濾光片區段。固態成像裝置還包含一第二彩色濾光片層,第二彩色濾光片層設置于光電轉換元件上方并與第一彩色濾光片層相鄰,且具有多個第二彩色濾光片區段。固態成像裝置包含一第一網格結構,第一網格結構設置于第一彩色濾光片層與第二彩色濾光片層之間,且具有一第一網格高度。固態成像裝置也包含一第二網格結構,第二網格結構設置于第一彩色濾光片區段之間與第二彩色濾光片區段之間,且具有一第二網格高度,第二網格高度低于或等于第一網格高度。
本公開的有益效果在于,本公開實施例的固態成像裝置包含具有不同網格高度的第一網格結構及第二網格結構,其可防止網格結構產生繞射,進而提高來自固態成像裝置的光電轉換元件。
附圖說明
以下將配合所附附圖詳述本公開實施例。應注意的是,各種特征部件并未按照比例繪制且僅用以說明例示。事實上,元件的尺寸可能經放大或縮小,以清楚地表現出本公開實施例的技術特征。
圖1顯示根據本公開一實施例的固態成像裝置的俯視圖。
圖2顯示沿著圖1中A-A’剖面線所切的固態成像裝置的剖面圖。
圖3顯示沿著圖1中B-B’剖面線所切的固態成像裝置的剖面圖。
圖4顯示根據本公開另一實施例的固態成像裝置的剖面圖。
圖5顯示根據本公開又一實施例的固態成像裝置的一部分的剖面圖。
圖6顯示固態成像裝置的另一部分的剖面圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





