[發明專利]固態成像裝置在審
| 申請號: | 202010542124.8 | 申請日: | 2020-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN113380838A | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發明(設計)人: | 李京樺;張育淇;林正軒;吳翰林 | 申請(專利權)人: | 采鈺科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 聶慧荃;閆華 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 成像 裝置 | ||
1.一種固態成像裝置,包括:
多個光電轉換元件;
一第一彩色濾光片層,設置于多個所述光電轉換元件上方并具有多個第一彩色濾光片區段;
一第二彩色濾光片層,設置于多個所述光電轉換元件上方并與該第一彩色濾光片層相鄰,且具有多個第二彩色濾光片區段;
一第一網格結構,設置于該第一彩色濾光片層與該第二彩色濾光片層之間,且具有一第一網格高度;以及
一第二網格結構,設置于多個所述第一彩色濾光片區段之間與多個所述第二彩色濾光片區段之間,且具有一第二網格高度,該第二網格高度低于或等于該第一網格高度。
2.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中該第一彩色濾光片層的高度與該第二彩色濾光片層的高度皆低于該第一網格高度,且該第一彩色濾光片層的高度與該第二彩色濾光片層的高度皆高于或等于該第二網格高度。
3.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中該第一彩色濾光片層的高度與該第二彩色濾光片層的高度皆低于該第一網格高度,該第一彩色濾光片層的高度高于或等于該第二網格高度,而該第二彩色濾光片層的高度低于該第二網格高度。
4.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中該第一彩色濾光片層的高度與該第二彩色濾光片層的高度皆低于該第一網格高度,且該第一彩色濾光片層的高度與該第二彩色濾光片層的高度皆低于該第二網格高度。
5.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中在該固態成像裝置的一剖面圖中,該第二網格結構包括多個網格區段,且兩個相鄰的網格區段的距離是可變的。
6.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中該第一網格結構包括一第一基底部分及設置于該第一基底部分之上的一第一添加部分,該第二網格結構包括一第二基底部分及設置于該第二基底部分之上的一第二添加部分,該第一基底部分的高度等于該第二基底部分的高度,而該第一添加部分的高度高于該第二添加部分的高度。
7.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中該第一網格結構包括一第一基底部分及設置于該第一基底部分之上的一第一添加部分,該第二網格結構包括一第二基底部分及設置于該第二基底部分之上的一第二添加部分,該第一基底部分的材料與該第二基底部分的材料相同,而該第一添加部分的材料與該第二添加部分的材料相同。
8.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中多個所述光電轉換元件排列于多個正規像素與多個相位檢測自動對焦像素中,多個所述相位檢測自動對焦像素被多個所述正規像素所圍繞。
9.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中在該固態成像裝置的一剖面圖中,該第一網格結構形成為一梯形,且該第二網格結構形成為一梯形。
10.如權利要求1所述的固態成像裝置,還包括:
多個聚光結構,設置于該第一彩色濾光片層與該第二彩色濾光片層之上,
其中多個所述聚光結構的每一個對應于多個所述第一彩色濾光片區段及多個所述第二彩色濾光片區段的其中一個。
11.如權利要求1所述的固態成像裝置,還包括:
多個聚光結構,設置于該第一彩色濾光片層與該第二彩色濾光片層之上,
其中多個所述聚光結構的每一個對應于多個所述第一彩色濾光片區段及多個所述第二彩色濾光片區段的其中至少兩個,該第二網格高度等于該第一網格高度,在該固態成像裝置的一剖面圖中,該第一網格結構包括多個第一網格區段,該第二網格結構包括多個第二網格區段,且兩個相鄰的第二網格區段的距離是可變的。
12.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中在該固態成像裝置的一俯視圖中,該第一網格結構定義多個感測區域,多個所述感測區域的每一個包括x2個第一彩色濾光片區段或x2個第二彩色濾光片區段,且x為大于或等于2的正整數。
13.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中該第一網格結構的折射率與該第二網格結構的折射率低于該第一彩色濾光片層的折射率與該第二彩色濾光片層的折射率,且該第一網格結構的折射率與該第二網格結構的折射率介于1.0至1.99之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





