[發(fā)明專利]一種探測面板、其制作方法及射線探測裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010542079.6
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN111653645A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孟凡理;陳江博;李澤源
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107;H01L31/18;H01L27/144
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 金俊姬

本發(fā)明公開了一種探測面板、其制作方法及射線探測裝置，該探測面板包括：驅(qū)動背板，驅(qū)動背板具有多個探測區(qū)域，各探測區(qū)域包括位于襯底基板之上的薄膜晶體管，以及位于薄膜晶體管之上、且與薄膜晶體管的源極電連接的第一綁定電極；多個雪崩光電二極管，多個雪崩光電二極管一一設(shè)置在各探測區(qū)域內(nèi)，各雪崩光電二極管面向驅(qū)動背板一側(cè)設(shè)置有與第一綁定電極固定連接的第二綁定電極。由于采用薄膜晶體管制成的驅(qū)動背板可以實(shí)現(xiàn)大尺寸生產(chǎn)，雪崩光電二極管能夠?qū)崿F(xiàn)弱光探測，因此本發(fā)明將上述驅(qū)動背板和雪崩光電二極管通過電極綁定方式形成的探測面板，可以同時實(shí)現(xiàn)大尺寸和弱光探測的特性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及平板探測器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種探測面板、其制作方法及射線探測裝置。

背景技術(shù)

平板探測器(Flat Panel Detector，F(xiàn)PD)是數(shù)字影像技術(shù)中至關(guān)重要的元件，由于其具有成像速度快，良好的空間及密度分辨率、高信噪比、直接數(shù)字輸出等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于醫(yī)學(xué)影像(如X光胸透)、工業(yè)檢測(如金屬探傷)、安保檢測、航空運(yùn)輸?shù)阮I(lǐng)域。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種探測面板、其制作方法及射線探測裝置，用以提供一種具有大尺寸、弱光探測特性的平板探測器。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種探測面板，包括：

驅(qū)動背板，所述驅(qū)動背板具有多個探測區(qū)域，各所述探測區(qū)域包括位于襯底基板之上的薄膜晶體管，以及位于所述薄膜晶體管之上、且與所述薄膜晶體管的源極電連接的第一綁定電極；

多個雪崩光電二極管，所述多個雪崩光電二極管一一設(shè)置在各所述探測區(qū)域內(nèi)，各所述雪崩光電二極管面向所述驅(qū)動背板一側(cè)設(shè)置有與所述第一綁定電極固定連接的第二綁定電極。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述探測面板中，所述第一綁定電極與所述第二綁定電極通過導(dǎo)電膠固定連接。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述探測面板中，所述第一綁定電極和所述第二綁定電極的形狀相同，且所述第二綁定電極在所述襯底基板上的正投影位于所述第一綁定電極在所述襯底基板上的正投影范圍內(nèi)。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述探測面板中，所述第一綁定電極和所述第二綁定電極構(gòu)成中心電極，所述雪崩光電二極管背離所述驅(qū)動背板的一側(cè)設(shè)置有環(huán)形電極。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述探測面板中，所述雪崩光電二極管包括位于所述第二綁定電極所在膜層和所述環(huán)形電極所在膜層之間依次層疊設(shè)置的重?fù)诫sN型區(qū)、第一類摻雜區(qū)、第二類摻雜區(qū)和重?fù)诫sP型區(qū)；

所述重?fù)诫sP型區(qū)與所述環(huán)形電極電連接，所述重?fù)诫sN型區(qū)與所述中心電極電連接。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述探測面板中，還包括與所述環(huán)形電極電連接的參考電壓線，所述參考電壓線與所述環(huán)形電極同層設(shè)置，且所述參考電壓線位于相鄰兩列所述探測區(qū)域之間。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述探測面板中，所述第一綁定電極包括同層設(shè)置的第一中心電極和圍繞所述第一中心電極設(shè)置的第一環(huán)形電極，所述第二綁定電極包括同層設(shè)置的第二中心電極和圍繞所述第二中心電極設(shè)置的第二環(huán)形電極；

所述第一中心電極和所述第二中心電極電連接構(gòu)成中心電極，所述第一環(huán)形電極和所述第二環(huán)形電極電連接構(gòu)成環(huán)形電極。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述探測面板中，所述雪崩光電二極管包括：重?fù)诫sN型區(qū)，圍繞所述重?fù)诫sN型區(qū)設(shè)置的重?fù)诫sP型區(qū)，位于所述重?fù)诫sN型區(qū)上且背離所述薄膜晶體管一側(cè)的第一類摻雜區(qū)，以及位于所述第一類摻雜區(qū)上且覆蓋所述探測區(qū)域的第二類摻雜區(qū)；其中，

所述重?fù)诫sN型區(qū)與所述中心電極電連接，所述重?fù)诫sP型區(qū)與所述環(huán)形電極電連接。