[發明專利]一種探測面板、其制作方法及射線探測裝置

在審

• 申請號: 202010542079.6
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN111653645A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 孟凡理;陳江博;李澤源
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107;H01L31/18;H01L27/144
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 金俊姬

1.一種探測面板，其特征在于，包括：

驅動背板，所述驅動背板具有多個探測區域，各所述探測區域包括位于襯底基板之上的薄膜晶體管，以及位于所述薄膜晶體管之上、且與所述薄膜晶體管的源極電連接的第一綁定電極；

多個雪崩光電二極管，所述多個雪崩光電二極管一一設置在各所述探測區域內，各所述雪崩光電二極管面向所述驅動背板一側設置有與所述第一綁定電極固定連接的第二綁定電極。

2.如權利要求1所述的探測面板，其特征在于，所述第一綁定電極與所述第二綁定電極通過導電膠固定連接。

3.如權利要求1所述的探測面板，其特征在于，所述第一綁定電極和所述第二綁定電極的形狀相同，且所述第二綁定電極在所述襯底基板上的正投影位于所述第一綁定電極在所述襯底基板上的正投影范圍內。

4.如權利要求1所述的探測面板，其特征在于，所述第一綁定電極和所述第二綁定電極構成中心電極，所述雪崩光電二極管背離所述驅動背板的一側設置有環形電極。

5.如權利要求4所述的探測面板，其特征在于，所述雪崩光電二極管包括位于所述第二綁定電極所在膜層和所述環形電極所在膜層之間依次層疊設置的重摻雜N型區、第一類摻雜區、第二類摻雜區和重摻雜P型區；

所述重摻雜P型區與所述環形電極電連接，所述重摻雜N型區與所述中心電極電連接。

6.如權利要求4所述的探測面板，其特征在于，還包括與所述環形電極電連接的參考電壓線，所述參考電壓線與所述環形電極同層設置，且所述參考電壓線位于相鄰兩列所述探測區域之間。

7.如權利要求1所述的探測面板，其特征在于，所述第一綁定電極包括同層設置的第一中心電極和圍繞所述第一中心電極設置的第一環形電極，所述第二綁定電極包括同層設置的第二中心電極和圍繞所述第二中心電極設置的第二環形電極；

所述第一中心電極和所述第二中心電極電連接構成中心電極，所述第一環形電極和所述第二環形電極電連接構成環形電極。

8.如權利要求7所述的探測面板，其特征在于，所述雪崩光電二極管包括：重摻雜N型區，圍繞所述重摻雜N型區設置的重摻雜P型區，位于所述重摻雜N型區上且背離所述薄膜晶體管一側的第一類摻雜區，以及位于所述第一類摻雜區上且覆蓋所述探測區域的第二類摻雜區；其中，

所述重摻雜N型區與所述中心電極電連接，所述重摻雜P型區與所述環形電極電連接。

9.如權利要求7所述的探測面板，其特征在于，還包括與所述環形電極電連接的參考電壓線，所述參考電壓線與所述第一環形電極同層設置，且所述參考電壓線位于相鄰兩列所述探測區域之間。

10.如權利要求1所述的探測面板，其特征在于，還包括：位于所述驅動背板面向所述雪崩光電二極管一側的第一平坦層，以及位于所述雪崩光電二極管面向所述驅動背板一側的第二平坦層；

所述第一平坦層與所述第一綁定電極齊平設置，所述第二平坦層與所述第二綁定電極齊平設置。

11.如權利要求5或8所述的探測面板，其特征在于，還包括圍繞所述重摻雜N型區設置的保護環。

12.一種射線探測裝置，其特征在于，包括如權利要求1-11任一項所述的探測面板。

13.一種如權利要求1-11任一項所述的探測面板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板的各探測區域形成依次層疊設置的薄膜晶體管、與所述薄膜晶體管的源極電連接的第一綁定電極，以形成驅動背板；

在Si基襯底上依次形成層疊設置的氧化埋入層、雪崩光電二極管、與所述雪崩光電二極管電連接的第二綁定電極；

將所述第一綁定電極和所述第二綁定電極進行固定連接；

剝離所述氧化埋入層。