[發(fā)明專利]一種雙柵自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010536950.1
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111682073A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋爽;蘇智昱;黃志杰;李元行;陳宇懷;阮桑桑
• 申請（專利權(quán)）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 福州市博深專利事務(wù)所(普通合伙) 35214
• 代理人: 林振杰

本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種雙柵自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括玻璃層、第一金屬層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二絕緣層、第二金屬層、第三絕緣層、平坦層和第三金屬層；第一金屬層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二絕緣層、第二金屬層、第三絕緣層和平坦層依次設(shè)置在玻璃層表面；在維持現(xiàn)有薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT)器件制作工藝流程的前提下，通過設(shè)置第三金屬層和第二金屬層形成雙柵自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，能夠減小寄生電容，滿足器件小型化，提高器件的溝道電子遷移率和多路分配器區(qū)域電流對顯示區(qū)域的充電率，同時(shí)縮小多路分配器器件的尺寸即縮窄屏邊框，本方案設(shè)計(jì)的雙柵自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)不僅減少光罩的使用成本而且滿足全面屏窄邊框的需求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種雙柵自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)

隨著顯示器技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步，人們對顯示器的品質(zhì)和外觀設(shè)計(jì)提出更高的要求，目前低成本、全面屏和窄邊框技術(shù)已變成顯示器面板行業(yè)趨勢。

普通薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT)的底柵結(jié)構(gòu)存在較大的交疊區(qū)域，導(dǎo)致寄生電容較大，不利于縮小器件的尺寸和減小驅(qū)動電路的工作速度，對于器件的溝道電子遷移率也無法提高；現(xiàn)有技術(shù)中是通過加長溝道的寬度來加大電流以使充電率提升，但是通過加長溝道的寬度無法滿足全面屏和窄邊框的設(shè)計(jì)。因此，特別有必要提供一種能夠減小器件的尺寸的自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)及其制備方法來實(shí)現(xiàn)全面屏和窄邊框。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種雙柵自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)及其制備方法。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的第一種技術(shù)方案為：

一種雙柵自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，包括玻璃層、第一金屬層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二絕緣層、第二金屬層、第三絕緣層、平坦層和第三金屬層；

所述第一金屬層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二絕緣層、第二金屬層、第三絕緣層和平坦層依次設(shè)置在玻璃層表面，所述第二絕緣層上設(shè)有至少兩個(gè)的第一過孔，所述第三絕緣層上設(shè)有至少兩個(gè)的第二過孔，所述平坦層上設(shè)有至少兩個(gè)的第三過孔，所述第三過孔通過所述第二過孔與所述第一過孔連接，所述第一過孔、第二過孔和第三過孔相對設(shè)置且連通，所述第三金屬層分別填充于所述第一過孔、第二過孔和第三過孔中，所述第一過孔中填充的第三金屬層與所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離玻璃層的一側(cè)面接觸。

本發(fā)明采用的第二種技術(shù)方案為：

一種雙柵自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

S1、提供一玻璃層，且在所述玻璃層覆蓋第一金屬層；

S2、形成一第一絕緣層，覆蓋于第一金屬層表面且與玻璃層接觸；

S3、形成一半導(dǎo)體層，且覆蓋于第一絕緣層表面；

S4、形成一第二絕緣層，覆蓋于半導(dǎo)體層表面且與第一絕緣層接觸；

S5、形成一第二金屬層，且覆蓋于第二絕緣層表面；

S6、形成一第三絕緣層，覆蓋于第二金屬層表面且與第二絕緣層接觸；

S7、形成一平坦層，且覆蓋于第三絕緣層表面；

S8、在所述第二絕緣層中形成至少兩個(gè)的第一過孔，在所述第三絕緣層中形成至少兩個(gè)的第二過孔，在所述平坦層中形成至少兩個(gè)的第三過孔，分別在所述第一過孔、第二過孔和第三過孔中形成第三金屬層，且所述第一過孔中形成的第三金屬層與所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離玻璃層的一側(cè)面接觸。

本發(fā)明的有益效果在于：