[發明專利]一種雙柵自對準結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202010536950.1
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111682073A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 宋爽;蘇智昱;黃志杰;李元行;陳宇懷;阮桑桑
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214
• 代理人: 林振杰

1.一種雙柵自對準結構，其特征在于，包括玻璃層、第一金屬層、第一絕緣層、半導體層、第二絕緣層、第二金屬層、第三絕緣層、平坦層和第三金屬層；

所述第一金屬層、第一絕緣層、半導體層、第二絕緣層、第二金屬層、第三絕緣層和平坦層依次設置在玻璃層表面，所述第二絕緣層上設有至少兩個的第一過孔，所述第三絕緣層上設有至少兩個的第二過孔，所述平坦層上設有至少兩個的第三過孔，所述第三過孔通過所述第二過孔與所述第一過孔連接，所述第一過孔、第二過孔和第三過孔相對設置且連通，所述第三金屬層分別填充于所述第一過孔、第二過孔和第三過孔中，所述第一過孔中填充的第三金屬層與所述半導體層遠離玻璃層的一側面接觸。

2.根據權利要求1所述的雙柵自對準結構，其特征在于，所述半導體層包括子半導體層、第一離子注入層和第二離子注入層，所述第一離子注入層設置在半導體層的一端，所述第二離子注入層設置在與所述第一離子注入層呈中心軸對稱的半導體層的另一端，所述第一離子注入層與所述第二離子注入層之間設有子半導體層，且所述子半導體層分別與所述第一離子注入層和第二注入層連接。

3.根據權利要求1所述的雙柵自對準結構，其特征在于，所述第三金屬層的形狀為T字型。

4.根據權利要求1所述的雙柵自對準結構，其特征在于，所述半導體層的氧化物介質為IGZO。

5.一種權利要求1所述的雙柵自對準結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、提供一玻璃層，且在所述玻璃層覆蓋第一金屬層；

S2、形成一第一絕緣層，覆蓋于第一金屬層表面且與玻璃層接觸；

S3、形成一半導體層，且覆蓋于第一絕緣層表面；

S4、形成一第二絕緣層，覆蓋于半導體層表面且與第一絕緣層接觸；

S5、形成一第二金屬層，且覆蓋于第二絕緣層表面；

S6、形成一第三絕緣層，覆蓋于第二金屬層表面且與第二絕緣層接觸；

S7、形成一平坦層，且覆蓋于第三絕緣層表面；

S8、在所述第二絕緣層中形成至少兩個的第一過孔，在所述第三絕緣層中形成至少兩個的第二過孔，在所述平坦層中形成至少兩個的第三過孔，分別在所述第一過孔、第二過孔和第三過孔中形成第三金屬層，且所述第一過孔中形成的第三金屬層與所述半導體層遠離玻璃層的一側面接觸。

6.根據權利要求5所述的雙柵自對準結構的制備方法，步驟S5還包括：

將半導體層分成半導體區和離子注入區，在離子注入區形成離子注入層。

7.根據權利要求5所述的雙柵自對準結構的制備方法，所述第三金屬層的形狀為T字型。

8.根據權利要求5所述的雙柵自對準結構的制備方法，所述半導體層的氧化物介質為IGZO。