[發(fā)明專利]一種補(bǔ)償電容結(jié)構(gòu)及其容值的提升方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010536940.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111682047A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-09-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋爽 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L49/02 |
| 代理公司: | 福州市博深專利事務(wù)所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 林振杰 |
| 地址: | 351100 福*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 補(bǔ)償 電容 結(jié)構(gòu) 及其 提升 方法 | ||
本發(fā)明涉及OLED技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種補(bǔ)償電容結(jié)構(gòu)及其容值的提升方法,通過(guò)將電容區(qū)域結(jié)構(gòu)的第一金屬層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、第二絕緣層和第三金屬層依次設(shè)置在所述電容區(qū)域結(jié)構(gòu)的玻璃層表面,使得第一金屬層、第一絕緣層和半導(dǎo)體層三者之間構(gòu)成第一電容器,第二金屬層、第二絕緣層和第三金屬層三者之間構(gòu)成第二電容器,從而使第一電容器與第二電容器之間形成相互并聯(lián)的電路結(jié)構(gòu),提升了容值;本方案設(shè)計(jì)的補(bǔ)償電容結(jié)構(gòu)能夠在現(xiàn)有的工藝流程的基礎(chǔ)上節(jié)約光罩,有效地改善面板畫面的均一性,提升顯示質(zhì)量,滿足更小的電極板面積達(dá)到提升開(kāi)口率的效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及OLED技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種補(bǔ)償電容結(jié)構(gòu)及其容值的提升方法。
背景技術(shù)
隨著顯示器技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步,人們對(duì)顯示器的品質(zhì)提出更高的要求,目前達(dá)到更高的分辨率已成為未來(lái)顯示器行業(yè)的必然趨勢(shì)。
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,簡(jiǎn)稱為OLED),現(xiàn)有的OLED器件一般為2T1C(兩個(gè)晶體管夾著一個(gè)存儲(chǔ)電容)結(jié)構(gòu),存儲(chǔ)電容是維持限速電極電位的主要手段,統(tǒng)一增大存儲(chǔ)電容可以有效地改善畫面的均一性,提升顯示質(zhì)量。增大存儲(chǔ)電容的方法通常為增大電極板面積及減小兩電極板間的間距,然而增大電極板面積無(wú)法縮小器件尺寸并造成開(kāi)口率下降,單純減小兩電極板的面積會(huì)受到絕緣層厚度的限制并且存在擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是:提供一種補(bǔ)償電容結(jié)構(gòu)及其容值的提升方法。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的第一種方案為:
一種補(bǔ)償電容結(jié)構(gòu),包括電容區(qū)域結(jié)構(gòu),所述電容區(qū)域結(jié)構(gòu)包括玻璃層,在所述電容區(qū)域結(jié)構(gòu)的玻璃層表面上依次層疊設(shè)有第一金屬層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、第二絕緣層和第三金屬層;
所述電容區(qū)域結(jié)構(gòu)的第一絕緣層上設(shè)有第一過(guò)孔,所述電容區(qū)域結(jié)構(gòu)的第二金屬層上設(shè)有第二過(guò)孔,所述電容區(qū)域結(jié)構(gòu)的第二絕緣層上設(shè)有第三過(guò)孔,所述第三過(guò)孔、第二過(guò)孔和第一過(guò)孔相對(duì)設(shè)置且相通,所述第三過(guò)孔、第二過(guò)孔和第一過(guò)孔中均填充有第三金屬層,所述第一過(guò)孔中的第三金屬層與所述電容區(qū)域結(jié)構(gòu)的第一金屬層遠(yuǎn)離玻璃層的一側(cè)面接觸。
本發(fā)明采用的第二種技術(shù)方案為:
一種補(bǔ)償電容結(jié)構(gòu)的容值的提升方法,包括以下步驟:
S1、提供一電容區(qū)域結(jié)構(gòu)的玻璃層,且在玻璃層表面上覆蓋有第一金屬層;
S2、形成第一絕緣層,且覆蓋于所述第一金屬層表面;
S3、形成半導(dǎo)體層,且覆蓋于所述第一絕緣層表面;
S4、形成第二金屬層,且覆蓋于所述半導(dǎo)體層表面;
S5、形成第二絕緣層,且覆蓋于所述第二金屬層表面;
S6、于第一絕緣層中形成第一過(guò)孔,于第二金屬層中形成第二過(guò)孔,于第二絕緣層中形成第三過(guò)孔,所述第三過(guò)孔、第二過(guò)孔和第一過(guò)孔相對(duì)設(shè)置且相通;
S7、形成第三金屬層,覆蓋于所述第二絕緣層表面且所述第一過(guò)孔、第二過(guò)孔和第三過(guò)孔中均填充有第三金屬層,所述第一過(guò)孔中的第三金屬層與所述第一金屬層遠(yuǎn)離玻璃層的一側(cè)面接觸。
本發(fā)明的有益效果在于:
通過(guò)將電容區(qū)域結(jié)構(gòu)的第一金屬層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、第二絕緣層和第三金屬層依次設(shè)置在所述電容區(qū)域結(jié)構(gòu)的玻璃層表面,使得第一金屬層、第一絕緣層和半導(dǎo)體層三者之間構(gòu)成第一電容器,第二金屬層、第二絕緣層和第三金屬層三者之間構(gòu)成第二電容器,從而使第一電容器與第二電容器之間形成相互并聯(lián)的電路結(jié)構(gòu),提升了容值;本方案設(shè)計(jì)的補(bǔ)償電容結(jié)構(gòu)能夠在現(xiàn)有的工藝流程的基礎(chǔ)上節(jié)約光罩,有效地改善面板畫面的均一性,提升顯示質(zhì)量,滿足更小的電極板面積達(dá)到提升開(kāi)口率的效果。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 掩模版彎曲補(bǔ)償裝置、檢測(cè)補(bǔ)償系統(tǒng)及補(bǔ)償方法
- 半主動(dòng)升沉補(bǔ)償裝置控制系統(tǒng)
- 像素補(bǔ)償方法、裝置及電視
- 顯示面板的補(bǔ)償方法、補(bǔ)償裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 光學(xué)補(bǔ)償方法、光學(xué)補(bǔ)償系統(tǒng)、顯示方法和顯示裝置
- 一種光瞳補(bǔ)償裝置和光刻機(jī)
- 改善低壓差線性穩(wěn)壓器全負(fù)載穩(wěn)定性的補(bǔ)償方法及其電路
- 一種油量傳感器油位補(bǔ)償裝置
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- 一種多抽頭補(bǔ)償電抗器智能投切控制裝置實(shí)現(xiàn)方法
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
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- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
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- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)





