[發(fā)明專利]一種補償電容結構及其容值的提升方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010536940.8
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111682047A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發(fā)明（設計）人: 宋爽
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L49/02
• 代理公司: 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214
• 代理人: 林振杰

1.一種補償電容結構，其特征在于，包括電容區(qū)域結構，所述電容區(qū)域結構包括玻璃層，在所述電容區(qū)域結構的玻璃層表面上依次層疊設有第一金屬層、第一絕緣層、半導體層、第二金屬層、第二絕緣層和第三金屬層；

所述電容區(qū)域結構的第一絕緣層上設有第一過孔，所述電容區(qū)域結構的第二金屬層上設有第二過孔，所述電容區(qū)域結構的第二絕緣層上設有第三過孔，所述第三過孔、第二過孔和第一過孔相對設置且相通，所述第三過孔、第二過孔和第一過孔中均填充有第三金屬層，所述第一過孔中的第三金屬層與所述電容區(qū)域結構的第一金屬層遠離玻璃層的一側面接觸。

2.根據(jù)權利要求1所述的補償電容結構，其特征在于，所述電容區(qū)域結構的第一金屬層、第一絕緣層和半導體層構成第一電容器，所述電容區(qū)域結構的第二金屬層、第二絕緣層和第三金屬層構成第二電容器，所述第一電容器與所述第二電容器相互并聯(lián)。

3.根據(jù)權利要求1所述的補償電容結構，其特征在于，所述電容區(qū)域結構的第一絕緣層的厚度為200nm-300nm，所述電容區(qū)域結構的第二絕緣層的厚度為200nm-300nm。

4.根據(jù)權利要求1所述的補償電容結構，其特征在于，還包括TFT1區(qū)域結構，所述TFT1區(qū)域結構包括玻璃層，在所述TFT1區(qū)域結構的玻璃層表面上依次層疊設有第一金屬層、第一絕緣層、半導體層、第二金屬層和第二絕緣層。

5.根據(jù)權利要求1所述的補償電容結構，其特征在于，還包括TFT2區(qū)域結構，所述TFT2區(qū)域結構包括玻璃層，在所述TFT2區(qū)域結構的玻璃層表面上依次層疊設有第一金屬層、第一絕緣層、半導體層、第二絕緣層和第三金屬層；

所述第一絕緣層上設有第四過孔，所述第四過孔中填充有第二金屬層，所述第四過孔中的第二金屬層與所述TFT2區(qū)域結構的第一金屬層遠離玻璃層的一側面接觸，所述第二絕緣層上設有兩個以上的第五過孔，所述第五過孔中填充有第三金屬層，所述第五過孔中的第三金屬層與所述TFT2區(qū)域結構的半導體層遠離玻璃層的一側面接觸。

6.一種權利要求1所述的補償電容結構的容值的提升方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、提供一電容區(qū)域結構的玻璃層，且在玻璃層表面上覆蓋有第一金屬層；

S2、形成第一絕緣層，且覆蓋于所述第一金屬層表面；

S3、形成半導體層，且覆蓋于所述第一絕緣層表面；

S4、形成第二金屬層，且覆蓋于所述半導體層表面；

S5、形成第二絕緣層，且覆蓋于所述第二金屬層表面；

S6、于第一絕緣層中形成第一過孔，于第二金屬層中形成第二過孔，于第二絕緣層中形成第三過孔，所述第三過孔、第二過孔和第一過孔相對設置且相通；

S7、形成第三金屬層，覆蓋于所述第二絕緣層表面且所述第一過孔、第二過孔和第三過孔中均填充有第三金屬層，所述第一過孔中的第三金屬層與所述第一金屬層遠離玻璃層的一側面接觸。

7.根據(jù)權利要求6所述的補償電容結構的容值的提升方法，其特征在于，還包括以下步驟：

設置電容區(qū)域結構的第一絕緣層的厚度為200nm-300nm；

設置電容區(qū)域結構的第二絕緣層的厚度為200nm-300nm。