[發(fā)明專利]一種芯片、芯片封裝體及晶圓有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010536691.2 | 申請日: | 2020-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN111554644B | 公開(公告)日: | 2022-04-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張文斌 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門通富微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/367 | 分類號: | H01L23/367;H01L23/467;H01L23/31 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎堅怡 |
| 地址: | 361000 福建省廈門市中國(福建)自由貿(mào)易試驗區(qū)*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 封裝 | ||
本申請公開了一種芯片、芯片封裝體及晶圓,芯片包括集成電路和散熱結(jié)構(gòu),集成電路位于芯片的主動面上;散熱結(jié)構(gòu)位于芯片的與主動面相對的背面上,散熱結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在芯片背面上的至少一個散熱槽,散熱槽用于容置導(dǎo)熱材料以對芯片進行散熱。通過上述方式,本申請能夠提高芯片的散熱效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及芯片、芯片封裝體及晶圓。
背景技術(shù)
隨著集成電路(Integrated Circuit,IC)芯片的內(nèi)部線路集成度的增高,芯片所產(chǎn)生的熱能也在不斷增加。而芯片要工作,必須滿足一個溫度范圍,在實際電路中,必須保證芯片的溫度在其可以承受的范圍之內(nèi)。芯片本身產(chǎn)生的熱量,除了少部分通過底部載板以及焊點向外散熱,主要還是通過芯片表面散熱的。因此,通常是在芯片表面加散熱器來實現(xiàn)芯片散熱,散熱器本身是通過熱導(dǎo)材料與芯片進行接觸,熱導(dǎo)材料將熱量傳導(dǎo)到散熱器上,再通過散熱器進行熱輻射將熱量耗散出去。但是熱導(dǎo)材料的多少及熱導(dǎo)材料與散熱器的接觸是否緊密等均會影響散熱效果。
發(fā)明內(nèi)容
本申請主要解決的技術(shù)問題是提供一種芯片、芯片封裝體及晶圓,能夠提高芯片的散熱效率。
為解決上述技術(shù)問題,本申請采用的一個技術(shù)方案是:提供一種芯片,芯片包括集成電路和散熱結(jié)構(gòu),集成電路位于芯片的主動面上;散熱結(jié)構(gòu)位于芯片的與主動面相對的背面上,散熱結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在芯片背面上的至少一個散熱槽,散熱槽用于容置導(dǎo)熱材料以對芯片進行散熱。
其中,散熱槽為多個,多個散熱槽相連通。
其中,散熱槽的靠近主動面一端的寬度小于散熱槽的遠離主動面一端的寬度。
其中,散熱槽為環(huán)形凹槽,散熱結(jié)構(gòu)還包括與散熱槽相連通的多個散熱孔,散熱孔沿與芯片表面相平行的方向延伸至芯片的邊緣,散熱槽內(nèi)填充有導(dǎo)熱材料,散熱孔內(nèi)不填充導(dǎo)熱材料。
其中,散熱槽的深度為40~60μm,散熱槽的寬度為20~40μm,相鄰兩散熱槽的間距為200~500μm。
為解決上述技術(shù)問題,本申請采用的另一個技術(shù)方案是:提供一種芯片封裝體,芯片封裝體包括芯片、線路層和焊球,芯片為上述任一項的芯片;線路層位于芯片主動面的一側(cè),設(shè)置有與芯片電連接的線路,用于引出芯片信號;焊球與線路層的線路電連接,用于與封裝基板電連接。
其中,芯片封裝體還包括導(dǎo)熱材料,導(dǎo)熱材料填充在散熱槽中,用于對芯片進行散熱。
其中,導(dǎo)熱材料為導(dǎo)熱硅脂。
其中,芯片封裝體還包括散熱器,散熱器位于芯片的背面,散熱器通過導(dǎo)熱材料與芯片連接,以對芯片進行散熱。
其中,芯片封裝體還包括封裝基板,芯片倒裝于封裝基板上。
為解決上述技術(shù)問題,本申請采用的另一個技術(shù)方案是:提供一種晶圓,晶圓包括襯底和主動層,主動層位于襯底的一側(cè),包括多個集成電路區(qū);襯底遠離主動層的一側(cè)設(shè)置有散熱結(jié)構(gòu),散熱結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在襯底遠離主動層一側(cè)的至少一個散熱槽,散熱槽用于容置導(dǎo)熱材料以對晶圓進行散熱。
本申請的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況,本申請通過在芯片的背面設(shè)置散熱槽,能夠使得導(dǎo)熱材料與芯片充分接觸,大大增加了芯片與導(dǎo)熱材料的接觸面積與結(jié)合力,提高了芯片的散熱效率。
附圖說明
圖1是本申請實施方式中一芯片的俯視結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本申請實施方式中另一芯片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是本申請實施方式中又一芯片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4是本申請實施方式中晶圓的俯視結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5是本申請實施方式中晶圓的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
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