[發(fā)明專利]一種芯片、芯片封裝體及晶圓

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010536691.2
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111554644B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張文斌
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門通富微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/467;H01L23/31
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

1.一種芯片，其特征在于，包括：

集成電路，位于芯片的主動面上；

散熱結(jié)構(gòu)，位于所述芯片的與所述主動面相對的背面上，所述散熱結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述芯片背面上的至少一個散熱槽，所述散熱槽用于容置導(dǎo)熱材料以對所述芯片進行散熱，所述散熱槽為多個，多個所述散熱槽相連通，所述散熱槽非均勻排布，所述集成電路的線路多的位置所設(shè)置的所述散熱槽的數(shù)量多于所述集成電路的線路少的位置所設(shè)置的所述散熱槽的數(shù)量，所述散熱槽為環(huán)形凹槽，所述散熱結(jié)構(gòu)還包括與所述散熱槽相連通的多個散熱孔，所述散熱孔沿與所述芯片表面相平行的方向延伸至所述芯片的邊緣，所述散熱槽內(nèi)填充有導(dǎo)熱材料，所述散熱孔內(nèi)不填充導(dǎo)熱材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述散熱槽的靠近所述主動面一端的寬度小于所述散熱槽的遠離所述主動面一端的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述散熱槽的深度為40~60 mm，所述散熱槽的寬度為20~40 mm，相鄰兩所述散熱槽的間距為200~500 mm。

4.一種芯片封裝體，其特征在于，包括：

芯片，所述芯片為如權(quán)利要求1-3任一項所述的芯片；

線路層，位于所述芯片主動面的一側(cè)，設(shè)置有與所述芯片電連接的線路，用于引出芯片信號；

焊球，與所述線路層的所述線路電連接，用于與封裝基板電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片封裝體，其特征在于，所述芯片封裝體還包括：

導(dǎo)熱材料，所述導(dǎo)熱材料填充在所述散熱槽中，用于對所述芯片進行散熱。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片封裝體，其特征在于，所述導(dǎo)熱材料為導(dǎo)熱硅脂。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片封裝體，其特征在于，所述芯片封裝體還包括：

散熱器，所述散熱器位于所述芯片的背面，所述散熱器通過所述導(dǎo)熱材料與所述芯片連接，以對所述芯片進行散熱。

8.一種晶圓，其特征在于，包括：

襯底；

主動層，位于所述襯底的一側(cè)，包括多個集成電路區(qū)；

其中，所述襯底遠離所述主動層的一側(cè)設(shè)置有散熱結(jié)構(gòu)，所述散熱結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述襯底遠離所述主動層一側(cè)的至少一個散熱槽，所述散熱槽用于容置導(dǎo)熱材料以對所述晶圓進行散熱，所述散熱槽為多個，多個所述散熱槽相連通，所述散熱槽非均勻排布，所述集成電路的線路多的位置所設(shè)置的所述散熱槽的數(shù)量多于所述集成電路的線路少的位置所設(shè)置的所述散熱槽的數(shù)量，所述散熱槽為環(huán)形凹槽，所述散熱結(jié)構(gòu)還包括與所述散熱槽相連通的多個散熱孔，所述散熱孔沿與芯片表面相平行的方向延伸至所述芯片的邊緣，所述散熱槽內(nèi)填充有導(dǎo)熱材料，所述散熱孔內(nèi)不填充導(dǎo)熱材料。