[發明專利]一種NLED像素設置及修復方法

有效

• 申請號: 202010536411.8
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111724699B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 周雄圖;翁雅戀;郭太良;張永愛;吳朝興;林志賢;嚴群
• 申請（專利權）人: 福州大學;閩都創新實驗室
• 主分類號: G09F9/33
• 分類號: G09F9/33;G09F9/302;G09G3/00
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 陳明鑫;蔡學俊

1.一種NLED像素設置及修復方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供一驅動背板，所述驅動背板包括k個陣列排列的像素區域，每個像素區域的電極均設置有互連區域和備用區域；其中，k為大于等于1的自然數；

步驟S2、采用電泳、流體自組裝、靜電或范德瓦耳斯方式在驅動背板每個像素區域的陽極和陰極之間設置n_i個NLED芯片，且該n_i個NLED芯片具有取向且無需精準取向和定位，所述NLED芯片的電極設置有互連區域和備用區域；驅動背板每個像素區域包括至少m_i個NLED發光體，所述NLED發光體為可以正常發光的NLED芯片；其中，m_i、n_i為大于等于1的自然數，且m_i≤n_i，i為大于等于1的自然數，且1≤i≤k；

步驟S3、采用Au-In鍵合、非Au-In互連、Au-In鍵合和非Au-In互連的復合方式將NLED芯片電極的互連區域與驅動背板像素區域電極的互連區域進行連接；

步驟S4、采用直接電學接觸電流注入的逐點掃描或無直接電學接觸的電場驅動方式對NLED芯片進行驅動發光；

步驟S5、通過記錄逐點掃描時不良NLED像素的行列地址或拍攝發光圖片并進行圖像處理獲得不良NLED像素的行列地址，實時監測不良NLED像素；

步驟S6、根據步驟S5提供的不良NLED像素的行列地址進行尋址，采用非Au-In互連方法在相應位置的NLED芯片電極的備用區域與驅動背板像素區域電極的備用區域進行原位修復，實現電極之間的重新互連；

步驟S7、重復S4-S6步驟，直至NLED顯示陣列的良率達到預期良率。

2.根據權利要求1所述的一種NLED像素設置及修復方法，其特征在于，所述NLED發光體為轉移和金屬互連后，施加驅動信號后可以正常發光的NLED芯片。

3.根據權利要求1所述的一種NLED像素設置及修復方法，其特征在于，所述NLED芯片的軸向方向尺寸為1微米~100微米，徑向尺寸為10納米~1微米；所述NLED芯片的生長方法包括自下而上的模板生長法、圖形化籽晶生長法和自上而下的微納加工LED晶圓法；所述NLED芯片表面除電極互連區域和備用區域的其他區域設置有介質層。

4.根據權利要求1所述的一種NLED像素設置及修復方法，其特征在于，所述非Au-In互連包括噴墨打印、絲網印刷、卷對卷印刷、遮擋鍍膜、激光焊接、引線焊接。

5.根據權利要求4所述的一種NLED像素設置及修復方法，其特征在于，所述采用非Au-In互連方法在相應位置的NLED芯片電極的備用區域與驅動背板像素區域電極的備用區域進行原位修復，即將NLED芯片電極的備用區域連接到對應的驅動背板像素區域電極的備用區域上，不必去除鍵合和連接不可靠的NLED芯片。

6.根據權利要求1所述的一種NLED像素設置及修復方法，其特征在于，未對NLED芯片進行檢測前，將NLED芯片電極的互連區域和備用區域，分別與驅動背板像素區域對應電極的互連區域和備用區域同時連接，提高NLED芯片與驅動背板連接的可靠性和良品率。

7.根據權利要求1至3任一所述的一種NLED像素設置及修復方法，其特征在于，NLED芯片的p型半導體設置第一電極互連區和第一電極備用區，NLED芯片的n型半導體設置第二電極互連區和第二電極備用區。

8.根據權利要求5所述的一種NLED像素設置及修復方法，其特征在于，采用基于噴墨打印的非Au-In互連方法在相應位置的NLED芯片電極的備用區域與驅動背板像素區域電極的備用區域進行原位修復的方式為實時監測到電極區域及不良區域時，在相應位置通過噴墨打印方式將導電油墨噴至NLED芯片電極和驅動背板像素區域電極之上，實現電極之間的互連。