[發明專利]一種NLED像素設置及修復方法

有效

• 申請號: 202010536411.8
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111724699B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 周雄圖;翁雅戀;郭太良;張永愛;吳朝興;林志賢;嚴群
• 申請（專利權）人: 福州大學;閩都創新實驗室
• 主分類號: G09F9/33
• 分類號: G09F9/33;G09F9/302;G09G3/00
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 陳明鑫;蔡學俊

本發明涉及一種NLED像素設置及修復方法。每個發光像素單元包括n個NLED芯片，每個像素單元包括至少m個NLED發光體；所述NLED芯片電極和驅動背板電極均設置有互連區域和備用區域，通過Au?In鍵合、非Au?In互連或Au?In鍵合和非Au?In互連的復合方式將所述NLED芯片電極的互連區域與驅動背板像素電極的互連區域相連后，采用實時監測電極區域進行檢測，在相應不良區域通過原位非Au?In連接方式將NLED芯片電極備用區域連接到驅動背板電極的對應備用區域上以進行修復，不必去除鍵合和連接不可靠的NLED芯片。本發明有效地降低了LED器件的制作周期和制作成本，并且大大提高了LED顯示器件的良品率。

技術領域

本發明涉及集成半導體發光與顯示領域，特別涉及一種NLED像素設置及修復方法。

背景技術

LED顯示具有自發光、高亮度和發光效率、低功耗、高穩定性等優點，被廣泛應用于各種場合。隨著LED芯片尺寸和像素間距減小，LED顯示有望實現柔性、高透明、可交互、可模塊化拼接的顯示，被認為是具備全功能和全應用領域的革命性顯示技術。μLED顯示是一種由微米級LED發光像素組成陣列的新型顯示技術，NLED（Nano-LED）顯示是一種由納米級LED發光像素組成陣列的新型顯示技術。NLED可以通過改變直徑來調節發光波長，具有潛在應用前景。國內外主要LED芯片、顯示面板和顯示應用廠商都已積極地投入超高密度LED顯示的開發。然而，當LED芯片尺寸小到一定程度，對芯片的操作將變得越來越困難。傳統的μLED顯示每個發光像素包含一個μLED芯片，通過巨量轉移和精確對位將每個芯片的陰極和陽極分別與驅動背板像素電極進行有序連接和鍵合，對巨量轉移、電極與電極的對位、鍵合等技術環節要求極高，器件良品率低，且像素缺陷監測和修復難度極大，嚴重阻礙μLED顯示的商用化。因此，迫切需要開發納米LED（如LED納米棒）的像素排列及相應的檢測修復技術難題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種NLED像素設置及修復方法，該方法避免了需要精準對位的巨量轉移和鍵合，大大提高了LED顯示器件的良品率，并且降低了LED發光器件制作工藝的復雜程度，從而有效地降低了LED器件的制作周期和制作成本。

為實現上述目的，本發明的技術方案是：一種NLED像素設置及修復方法，包括如下步驟：

步驟S1、提供一驅動背板，所述驅動背板包括k個陣列排列的像素區域，每個像素區域的電極均設置有互連區域和備用區域；其中，k為大于等于1的自然數；

步驟S2、采用電泳、流體自組裝、靜電或范德瓦耳斯方式在驅動背板每個像素區域的陽極和陰極之間設置n_i個NLED芯片，且該n_i個NLED芯片具有取向且無需精準取向和定位，所述NLED芯片的電極設置有互連區域和備用區域；驅動背板每個像素區域包括至少m_i個NLED發光體，所述NLED發光體為可以正常發光的NLED芯片；其中，m_i、n_i為大于等于1的自然數，且m_i≤n_i，i為大于等于1的自然數，且1≤i≤k；

步驟S3、采用Au-In鍵合、非Au-In互連、Au-In鍵合和非Au-In互連的復合方式將NLED芯片電極的互連區域與驅動背板像素區域電極的互連區域進行連接；

步驟S4、采用直接電學接觸電流注入的逐點掃描或無直接電學接觸的電場驅動方式對NLED芯片進行驅動發光；

步驟S5、通過記錄逐點掃描時不良NLED像素的行列地址或拍攝發光圖片并進行圖像處理獲得不良NLED像素的行列地址，實時監測不良NLED像素；

步驟S6、根據步驟S5提供的不良NLED像素的行列地址進行尋址，采用非Au-In互連方法在相應位置的NLED芯片電極的備用區域與驅動背板像素區域電極的備用區域進行原位修復，實現電極之間的重新互連；