[發明專利]一種半導體結構的形成方法在審
| 申請號： | 202010535906.9 | 申請日： | 2020-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN113808929A | 公開（公告）日： | 2021-12-17 |
| 發明（設計）人： | 李洋;鄧世琪;嚴利均;劉志強 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/027;H01L21/033;H01L21/311;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海元好知識產權代理有限公司 31323 | 代理人： | 張妍;章麗娟 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 結構 形成 方法 | ||
1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底表面具有掩膜層，所述掩膜層表面具有圖形層，所述圖形層內具有圖形開口，所述圖形開口底部暴露出所述掩膜層的頂部表面；
以所述圖形層為掩膜，刻蝕所述圖形開口底部的部分掩膜層，在所述掩膜層內形成第一開口；
形成所述第一開口之后，在所述第一開口頂角的周圍形成保護層；
以所述保護層為掩膜，刻蝕所述第一開口底部的掩膜層，直至暴露出所述襯底的頂部表面，在所述掩膜層內形成第二開口。
2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述襯底包括基底和位于基底上交替堆疊的氧化層和氮化層；所述氧化層的材料包括：氧化硅；所述氮化層的材料包括：氮化硅。
3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述保護層的材料與掩膜層的材料相同。
4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述保護層的材料與掩膜層的材料不同。
5.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述掩膜層的材料包括：無定形碳；所述保護層的材料包括：氧化硅、氮化硅或有機聚合物。
6.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述保護層的厚度與所述第一開口底部的掩膜層的厚度成正比。
7.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述保護層的形成方法包括：等離子體噴涂工藝。
8.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述等離子體噴涂采用的壓力值小于30毫托。
9.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述圖形層包括：位于所述掩膜層表面的介質抗反射涂層、位于介質抗反射涂層上的底部抗反射涂層以及位于底部抗反射涂層表面的光刻膠層。
10.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述襯底與所述掩膜層之間具有停止層，所述第二開口底部暴露出所述停止層的表面。
11.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述第二開口之后，還包括：去除所述保護層。
12.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述第二開口之后，還包括：以所述掩膜層為掩膜，刻蝕所述第二開口底部交替堆疊的氧化層和氮化層，直至暴露出所述基底的頂部表面，在交替堆疊的氧化層和氮化層內形成通孔。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
