[發明專利]一種彩色μLED巨量轉移方法在審
| 申請號: | 202010535346.7 | 申請日: | 2020-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN111769054A | 公開(公告)日: | 2020-10-13 |
| 發明(設計)人: | 周雄圖;陳桂雄;郭太良;張永愛;吳朝興;孫捷;嚴群 | 申請(專利權)人: | 福州大學;閩都創新實驗室 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L27/15 |
| 代理公司: | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人: | 陳明鑫;蔡學俊 |
| 地址: | 350108 福建省福州市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 彩色 led 巨量 轉移 方法 | ||
本發明涉及一種彩色μLED巨量轉移方法。在不同發光顏色μLED芯片上表面修飾不同的抗體分子,在轉移過渡基板或驅動背板修飾相應抗原分子,利用抗原抗體反應的特異性,將不同顏色μLED芯片同時批量轉移到轉移過渡基板或驅動背板,最后,將裝載板上的彩色μLED芯片陣列批量轉移至對應驅動背板進行焊接和封裝。本發明方法可以精準實現不同發光顏色的μLED芯片的同時巨量轉移,簡化轉移工藝,提高轉移效率,同時降低μLED顯示屏的生產成本。
技術領域
本發明涉及集成半導體發光與顯示領域,特別涉及一種彩色μLED巨量轉移方法。
背景技術
LED顯示具有自發光、高亮度和發光效率、低功耗、高穩定性等優點,被廣泛應用于各種場合。隨著LED芯片尺寸和像素間距減小,LED顯示有望實現柔性、高透明、可交互、可模塊化拼接的顯示,被認為是具備全功能和全應用領域的革命性顯示技術。μLED顯示是一種由微米級LED發光像素組成陣列的新型顯示技術,國內外主要LED芯片、顯示面板和顯示應用廠商都已積極地投入超高密度μLED顯示的開發。然而,當LED芯片尺寸小到一定程度,對芯片的操作將變得越來越困難。其中,μLED芯片得巨量轉移(Mass Transfer)是μLED產業化過程中面臨的一個核心技術難題。由于μLED元器件非常細小,而巨量轉移技術要求非常高的效率、良品率和轉移精度,巨量轉移技術成為了μLED研發過程的最大挑戰,阻礙了μLED技術的推廣與使用。
另一方面,抗原抗體反應是指抗原與相應抗體之間所發生的特異性結合反應,抗體能特異性地識別相應的抗原并與之結合,利用抗原抗體反應可同時使大量μLED芯片粘附在特定位置,實現μLED芯片的巨量轉移。而且,抗體是特異的,只與相應抗原反應,可實現發不同顏色光μLED芯片的同時巨量轉移,形成彩色μLED芯片,轉移效率高,成本低。由于抗原抗體反應是分子表面的非共價鍵結合,所形成的復合物并不牢固,可以隨時解離,解離后的抗原抗體仍保持原來的理化特征和生物學活性,因此,利用基于抗原抗體反應的巨量轉移完成的μLED芯片陣列很容易在不同基板上進行再次轉移,具有良好的轉移靈活性。
發明內容
本發明的目的在于提供一種彩色μLED巨量轉移方法,該方法可以精準實現不同發光顏色的μLED芯片的同時巨量轉移,簡化轉移工藝,提高轉移效率,同時降低μLED顯示屏的生產成本。
為實現上述目的,本發明的技術方案是:一種彩色μLED巨量轉移方法,用于多種具有不同發光顏色的μLED芯片的同時巨量轉移,該方法包括如下步驟:
步驟S1、將不同發光顏色的μLED芯片分別放置在過渡基板上,所述過渡基板上的μLED芯片的上表面尺寸小于下表面尺寸;
步驟S2、在不同發光顏色的μLED芯片上表面分別修飾不同抗體分子,即每種發光顏色μLED芯片表面修飾有一種抗體分子;
步驟S3、提供一轉移裝載板,根據轉移后μLED芯片所需間距和步驟S1中μLED芯片上表面形狀和尺寸在轉移裝載板上設置裝載槽陣列;
步驟S4、在轉移裝載板表面待轉移顏色μLED芯片的裝載槽位置修飾與步驟S2中對應顏色μLED芯片的抗體分子對應的抗原分子陣列;
步驟S5、提供一裝有抗原分子和抗體分子所用相同溶劑的容器,將修飾有不同抗原分子的轉移裝載板放置于該溶劑中,批量倒入修飾有不同抗體分子的μLED芯片,進行磁力攪拌,利用抗原抗體反應,不同發光顏色的μLED芯片上表面將分別通過抗原抗體反應嵌入并吸附于對應裝載槽中;
步驟S6、將沒有良好吸附于裝載槽或未落入裝載槽的μLED芯片吹出裝載板;
步驟S7、重復步驟S5和步驟S6,直至裝載有相應發光顏色的μLED芯片的裝載槽達到預設數量;
步驟S8、采用光檢器件對轉移裝載板進行檢測,判斷未裝載有μLED芯片的裝載槽位置,通過機械手向空置的裝載槽內填入相應顏色的μLED芯片;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





