[發明專利]量子點發光二極管及其制作方法、顯示面板、顯示裝置

有效

• 申請號: 202010535254.9
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111653678B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發明（設計）人: 張曉遠
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H10K50/115
• 分類號: H10K50/115;H10K50/16;H10K59/12;H10K71/00;H10K71/12;H10K71/60;H10K50/805
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;張博

本發明提供了一種量子點發光二極管及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，屬于顯示技術領域。其中，量子點發光二極管，包括：襯底基板；依次位于所述襯底基板上的第一電極、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層、量子點發光層、空穴傳輸層、空穴注入層和第二電極，其中，所述第一電子傳輸層遠離所述第一電極一側的表面的粗糙度小于閾值，所述第二電子傳輸層由納米粒子組成。通過本發明的技術方案，能夠提高顯示裝置發光的均勻性。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是指一種量子點發光二極管及其制作方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術

量子點也稱半導體納米晶，是少量原子組成的、三個維度尺寸通常是1nm～100nm的零維納米結構，量子點具有帶隙可調、窄的發射譜，近些年廣泛的應用在LED(發光二極管)器件，量子點發光二極管具有自發光、色純度高、能耗低、圖像穩定、視角范圍廣、色彩豐富等優點，近些年被認為是繼LCD和OLED(有機發光二極管)之后的新一代顯示技術，具有廣闊的應用前景。

近年來，隨著量子點電致發光技術的不斷發展，在器件效率和壽命方面都已經取得了很多成果。量子點發光器件從結構方面，可以分為正置結構和倒置結構，其中正置結構通常采用導電ITO作為陽極，之后依次沉積空穴注入層，空穴傳輸層，量子點發光層，電子傳輸層和陰極；而倒置結構則是以ITO導電玻璃作為陰極，在上面直接沉積電子傳輸層，之后沉積量子點發光層，空穴傳輸層，空穴注入層和金屬陽極。對于倒置結構的量子點發光器件，存在發光不均勻的現象。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種量子點發光二極管及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，能夠提高顯示裝置發光的均勻性。

為解決上述技術問題，本發明的實施例提供技術方案如下：

一方面，提供一種量子點發光二極管，包括：

襯底基板；

依次位于所述襯底基板上的第一電極、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層、量子點發光層、空穴傳輸層、空穴注入層和第二電極，其中，所述第一電子傳輸層遠離所述第一電極一側的表面的粗糙度小于閾值，所述第二電子傳輸層由納米粒子組成。

一些實施例中，所述第一電子傳輸層和所述第二電子傳輸層的材料選自：氧化鋅、氧化鋁鋅和氧化鎂鋅。

一些實施例中，所述閾值為3nm。

一些實施例中，所述第一電子傳輸層的厚度為50-150nm，所述第二電子傳輸層的厚度為20-60nm。

一些實施例中，所述第一電極采用ITO，第二電極采用金屬。

本發明的實施例還提供了一種顯示面板，包括如上所述的量子點發光二極管。

本發明的實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的量子點發光二極管。

本發明的實施例還提供了一種量子點發光二極管的制作方法，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上依次形成第一電極、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層、量子點發光層、空穴傳輸層、空穴注入層和第二電極，其中，所述第一電子傳輸層遠離所述第一電極一側的表面的粗糙度小于閾值，所述第二電子傳輸層由納米粒子組成。

一些實施例中，采用溶膠-凝膠法、濺射成膜法或氣相沉積法制備所述第一電子傳輸層；

利用納米粒子溶液采用旋涂成膜法制備所述第二電子傳輸層。

一些實施例中，制備所述第一電子傳輸層的溶膠的濃度為50mg/ml-150mg/ml。

本發明的實施例具有以下有益效果：