[發(fā)明專利]量子點發(fā)光二極管及其制作方法、顯示面板、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010535254.9 | 申請日： | 2020-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN111653678B | 公開（公告）日： | 2023-10-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張曉遠 | 申請（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H10K50/115 | 分類號： | H10K50/115;H10K50/16;H10K59/12;H10K71/00;H10K71/12;H10K71/60;H10K50/805 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;張博 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 量子 發(fā)光二極管 及其 制作方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種量子點發(fā)光二極管，其特征在于，包括：
襯底基板；
依次位于所述襯底基板上的第一電極、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層、量子點發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和第二電極，其中，所述第一電子傳輸層遠離所述第一電極一側(cè)的表面的粗糙度小于閾值，所述第二電子傳輸層由納米粒子組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一電子傳輸層和所述第二電子傳輸層的材料選自：氧化鋅、氧化鋁鋅和氧化鎂鋅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述閾值為3nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一電子傳輸層的厚度為50-150nm，所述第二電子傳輸層的厚度為20-60nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一電極采用ITO，第二電極采用金屬。
6.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5中任一項所述的量子點發(fā)光二極管。
7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5中任一項所述的量子點發(fā)光二極管。
8.一種量子點發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，包括：
提供一襯底基板；
在所述襯底基板上依次形成第一電極、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層、量子點發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和第二電極，其中，所述第一電子傳輸層遠離所述第一電極一側(cè)的表面的粗糙度小于閾值，所述第二電子傳輸層由納米粒子組成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的量子點發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，采用溶膠-凝膠法、濺射成膜法或氣相沉積法制備所述第一電子傳輸層；
利用納米粒子溶液采用旋涂成膜法制備所述第二電子傳輸層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的量子點發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，制備所述第一電子傳輸層的溶膠的濃度為50mg/ml-150mg/ml。
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