[發明專利]量子點發光二極管及其制作方法、顯示面板、顯示裝置

有效

• 申請號: 202010535254.9
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111653678B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發明（設計）人: 張曉遠
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H10K50/115
• 分類號: H10K50/115;H10K50/16;H10K59/12;H10K71/00;H10K71/12;H10K71/60;H10K50/805
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;張博

1.一種量子點發光二極管，其特征在于，包括：

襯底基板；

依次位于所述襯底基板上的第一電極、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層、量子點發光層、空穴傳輸層、空穴注入層和第二電極，其中，所述第一電子傳輸層遠離所述第一電極一側的表面的粗糙度小于閾值，所述第二電子傳輸層由納米粒子組成。

2.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述第一電子傳輸層和所述第二電子傳輸層的材料選自：氧化鋅、氧化鋁鋅和氧化鎂鋅。

3.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述閾值為3nm。

4.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述第一電子傳輸層的厚度為50-150nm，所述第二電子傳輸層的厚度為20-60nm。

5.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述第一電極采用ITO，第二電極采用金屬。

6.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1-5中任一項所述的量子點發光二極管。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-5中任一項所述的量子點發光二極管。

8.一種量子點發光二極管的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上依次形成第一電極、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層、量子點發光層、空穴傳輸層、空穴注入層和第二電極，其中，所述第一電子傳輸層遠離所述第一電極一側的表面的粗糙度小于閾值，所述第二電子傳輸層由納米粒子組成。

9.根據權利要求8所述的量子點發光二極管的制作方法，其特征在于，采用溶膠-凝膠法、濺射成膜法或氣相沉積法制備所述第一電子傳輸層；

利用納米粒子溶液采用旋涂成膜法制備所述第二電子傳輸層。

10.根據權利要求9所述的量子點發光二極管的制作方法，其特征在于，制備所述第一電子傳輸層的溶膠的濃度為50mg/ml-150mg/ml。