[發(fā)明專利]基板固定裝置及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010534415.2 | 申請日: | 2020-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN112086393A | 公開(公告)日: | 2020-12-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 飯島信行;柳澤啟晴;中村祐一;高橋龍二 | 申請(專利權(quán))人: | 新光電氣工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;H01J37/20;H01J37/305;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 顧紅霞;龍濤峰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固定 裝置 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供一種基板固定裝置和制造基板固定裝置的方法,該基板固定裝置包括:底板;靜電吸附部件,其吸附并保持基板;支撐部件,其布置在底板上以支撐靜電吸附部件;以及粘合層,其將靜電吸附部件粘合至底板。支撐部件與底板直接接觸,并與靜電吸附部件直接接觸。支撐部件的彈性模量高于粘合層的彈性模量。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及一種基板固定裝置及基板固定裝置的制造方法。
背景技術(shù)
通常,在基板固定裝置的制造方法中,使用粘合層將靜電吸附部件粘接到底板上。在粘接時,將由底板、粘合層和靜電吸附部件形成的結(jié)構(gòu)體放置在平板上,從而使靜電吸附部件的吸附面與平板接觸,并且隨后對底板的下表面施加載荷。另外,在俯視時,在底板和平板之間的粘合層的外側(cè)設(shè)置有隔離物,以使底板的下表面和靜電吸附部件的吸附面彼此平行(參見例如JP-A-2000-183143和JP-A-2016-012608)。
然而,在通過上述方法制造的基板固定裝置中,在靜電吸附部件的吸附面中可能不能獲得令人滿意的均勻溫度特性。即,靜電吸附部件的吸附面的溫度有可能發(fā)生變化。
發(fā)明內(nèi)容
某些實施例提供了一種基板固定裝置。基板固定裝置包括:底板;靜電吸附部件,其吸附并保持基板;支撐部件,其布置在所述底板上以支撐所述靜電吸附部件;以及粘合層,其將所述靜電吸附部件粘合至所述底板。所述支撐部件與所述底板直接接觸,并與所述靜電吸附部件直接接觸。所述支撐部件的彈性模量高于所述粘合層的彈性模量。
附圖說明
圖1是簡化地示出根據(jù)實施例的基板固定裝置的剖視圖;
圖2A至圖2D是示出了根據(jù)實施例的制造基板固定裝置的方法的視圖(部分1);
圖3A和圖3B是示出了根據(jù)實施例的制造基板固定裝置的方法的視圖(部分2);
圖4A至圖4C是示出了根據(jù)實施例的制造基板固定裝置的方法的視圖(部分3);
圖5A和圖5B是示出了根據(jù)實施例的制造基板固定裝置的方法的視圖(部分4);
圖6A示出了布置在底板上的支撐柱結(jié)構(gòu)體的布局的第一實例;
圖6B示出了布置在底板上的支撐柱結(jié)構(gòu)體的布局的第二實例;
以及
圖6C示出了布置在底板上的支撐柱結(jié)構(gòu)體的布局的第三實例。
具體實施方式
本發(fā)明人為了深入地觀察背景技術(shù)的基板固定裝置中靜電吸附部件的吸附面中的溫度變化的原因而進行了深入研究。結(jié)果,可以清楚地看出,靜電吸附部件的厚度可能不均勻,并且在這種情況下,粘合層厚度的面內(nèi)均勻性(inplane uniformity)受到破壞,從而導(dǎo)致靜電吸附部件的吸附面中的溫度變化。
本公開是基于這一發(fā)現(xiàn)完成的。本發(fā)明的目的在于,即使在靜電吸附部件的厚度不均勻的情況下,也能夠提高粘合層的厚度的面內(nèi)均勻性,并且能夠提高靜電吸附部件的吸附面的溫度均勻性。
以下將參照附圖具體描述本公開的實施例。順便提及,由于在本公開的描述和附圖中具有基本相同的功能構(gòu)造的組成元件相應(yīng)地分別由相同的符號表示,所以可以省略關(guān)于組成元件的重復(fù)描述。
[基板固定裝置的結(jié)構(gòu)]
圖1是簡化地示出根據(jù)實施例的基板固定裝置的剖視圖。參照圖1,基板固定裝置1具有作為主要構(gòu)成元件的底板10、粘合層20、支撐柱結(jié)構(gòu)體21和靜電吸附部件50。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





