[發明專利]基板固定裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 202010534415.2 | 申請日: | 2020-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN112086393A | 公開(公告)日: | 2020-12-15 |
| 發明(設計)人: | 飯島信行;柳澤啟晴;中村祐一;高橋龍二 | 申請(專利權)人: | 新光電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;H01J37/20;H01J37/305;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 顧紅霞;龍濤峰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固定 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種基板固定裝置,包括:
底板;
靜電吸附部件,其吸附并保持基板;
支撐部件,其布置在所述底板上以支撐所述靜電吸附部件;以及
粘合層,其將所述靜電吸附部件粘合至所述底板,其中,
所述支撐部件與所述底板直接接觸,并與所述靜電吸附部件直接接觸,并且
所述支撐部件的彈性模量高于所述粘合層的彈性模量。
2.根據權利要求1所述的基板固定裝置,其中,
所述支撐部件的彈性模量是所述粘合層的彈性模量的十倍以上。
3.根據權利要求1或2所述的基板固定裝置,其中,
所述靜電吸附部件包括靜電吸盤。
4.根據權利要求3所述的基板固定裝置,其中,
所述靜電吸附部件還包括在所述底板和所述靜電吸盤之間的加熱部分。
5.根據權利要求1或2所述的基板固定裝置,其中,
所述底板包括:
金屬基體,以及
樹脂層,其布置在所述金屬基體上并且位于所述金屬基體和所述靜電吸附部件之間。
6.根據權利要求1或2所述的基板固定裝置,其中,
所述支撐部件的熱導率與所述粘合層的熱導率之間的差不高于2W/(m·K)。
7.根據權利要求1或2所述的基板固定裝置,其中,
所述支撐部件的熱膨脹系數為所述粘合層的熱膨脹系數的0.1倍以上且10倍以下。
8.根據權利要求1或2所述的基板固定裝置,其中,
所述粘合層設置在所述靜電吸附部件和所述底板之間以覆蓋所述支撐部件。
9.根據權利要求5所述的基板固定裝置,其中,
所述支撐部件與所述樹脂層直接接觸。
10.根據權利要求1或2所述的基板固定裝置,其中,
包括多個所述支撐部件,并且
多個所述支撐部件相對于所述底板的中心點而點對稱地布置。
11.根據權利要求1或2所述的基板固定裝置,其中,
包括多個所述支撐部件,并且
所述多個支撐部件的高度基本上相同。
12.一種制造基板固定裝置的方法,所述方法包括:
在靜電吸附部件和底板之間設置半固化粘合層和支撐部件,其中,所述靜電吸附部件構造為吸附并保持基板,并且所述支撐部件構造為支撐所述靜電吸附部件;以及
對所述靜電吸附部件和所述底板進行加壓和加熱,以使所述粘合層固化;其中,
所述支撐部件與所述底板直接接觸,并與所述靜電吸附部件直接接觸,并且
所述支撐部件的彈性模量高于所述粘合層的彈性模量。
13.根據權利要求12所述的方法,其中,
所述支撐部件的彈性模量是所述粘合層的彈性模量的十倍以上。
14.根據權利要求12或13所述的方法,其中,
所述支撐部件的熱導率與所述粘合層的熱導率之間的差不高于2W/(m·K)。
15.根據權利要求12或13所述的方法,其中,
所述支撐部件的熱膨脹系數為所述粘合層的熱膨脹系數的0.1倍以上且10倍以下。
16.根據權利要求12或13所述的方法,還包括:
在使所述粘合層固化之后,研磨所述靜電吸附部件的吸附面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





