[發明專利]薄膜電阻層制備方法在審
| 申請號： | 202010533987.9 | 申請日： | 2020-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN113445012A | 公開（公告）日： | 2021-09-28 |
| 發明（設計）人： | 邱正中;盧契佑 | 申請（專利權）人： | 光頡科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮;張德斌 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 電阻 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種薄膜電阻層制備方法，包含：
于一腔體內的一基板表面磁控濺鍍一氮化鉭層，其中濺鍍溫度為100-450℃、濺鍍功率為0.25-2.5千瓦及濺鍍時間為5-50分鐘；
于所述氮化鉭層表面磁控濺鍍一五氧化二鉭層，以得到一半成品薄膜電阻層，其中濺鍍溫度為100-450℃、濺鍍功率為0.25-2.5千瓦及濺鍍時間為5-50分鐘；以及
將所述半成品薄膜電阻層退火處理以得到一薄膜電阻層。
2.如權利要求1所述的薄膜電阻層制備方法，其中于所述基板表面磁控濺鍍所述氮化鉭層步驟前，還包含通入氮氣及非反應性氣體至所述腔體，以及于所述氮化鉭層表面磁控濺鍍所述五氧化二鉭層步驟前，還包含通入氧氣及所述非反應性氣體至所述腔體。
3.如權利要求2所述的薄膜電阻層制備方法，其中氮氣與所述非反應性氣體的比例為1:4-1:999，以及氧氣與所述非反應性氣體的比例為1:1.5-1:999。
4.如權利要求1所述的薄膜電阻層制備方法，其中退火處理步驟，于溫度為150-750℃環境下，退火5分鐘至24小時。
5.如權利要求1所述的薄膜電阻層制備方法，其中所述薄膜電阻層的電阻溫度系數為0±3ppm/℃。
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