[發(fā)明專利]三維半導(dǎo)體存儲器件

在審

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• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN112310089A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沈在龍;安鐘善;韓智勛
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11519
• 分類號: H01L27/11519;H01L27/11526;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/11573;H01L27/11582
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 張婧

1.一種半導(dǎo)體存儲器件，包括：

水平圖案，設(shè)置在外圍電路結(jié)構(gòu)上并在第一方向上彼此間隔開；

設(shè)置在所述水平圖案上的存儲器結(jié)構(gòu)，所述存儲器結(jié)構(gòu)包括源結(jié)構(gòu)和電極結(jié)構(gòu)；

在所述第一方向上設(shè)置在相鄰的水平圖案之間的劃分結(jié)構(gòu)，所述劃分結(jié)構(gòu)被配置為將相鄰的存儲器結(jié)構(gòu)的所述源結(jié)構(gòu)彼此分離；以及

蝕刻停止圖案，設(shè)置在所述水平圖案之間并且設(shè)置在比所述源結(jié)構(gòu)的高度低的高度處，所述蝕刻停止圖案連接到所述劃分結(jié)構(gòu)的下部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述蝕刻停止圖案包括在所述第一方向上延伸的第一子圖案和在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第二子圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中：

所述水平圖案的每個包括平行于所述第一方向的第一邊緣和平行于所述第二方向的第二邊緣；

所述第一子圖案沿所述第一邊緣延伸；以及

所述第二子圖案沿所述第二邊緣延伸。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中：

所述第一子圖案包括多個第一子圖案；

所述第二子圖案包括多個第二子圖案；以及

所述蝕刻停止圖案具有由彼此交叉的所述多個第一子圖案和所述多個第二子圖案形成的網(wǎng)格形狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述蝕刻停止圖案由相對于硅氧化物層和硅氮化物層具有蝕刻選擇性的非金屬材料形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述蝕刻停止圖案包括多晶硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述蝕刻停止圖案在所述第一方向上的寬度大于所述劃分結(jié)構(gòu)在所述第一方向上的寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述蝕刻停止圖案在所述第二方向上的寬度大于所述劃分結(jié)構(gòu)在所述第二方向上的寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述劃分結(jié)構(gòu)具有條形或矩形形狀。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述蝕刻停止圖案的頂表面位于比所述水平圖案的底表面低的高度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中：

所述蝕刻停止圖案的頂表面位于與所述水平圖案的頂表面相同的高度；以及

所述蝕刻停止圖案的底表面位于與所述水平圖案的底表面相同的高度。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，還包括：

剩余模圖案，設(shè)置在所述第一方向上相鄰的水平圖案之間以及在所述半導(dǎo)體存儲器件的厚度的方向上在所述源結(jié)構(gòu)與所述蝕刻停止圖案之間，

其中，所述劃分結(jié)構(gòu)被配置為在所述第一方向上分離所述剩余模圖案。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中：

所述源結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述水平圖案上的第一導(dǎo)電源圖案和設(shè)置在所述第一導(dǎo)電源圖案與所述水平圖案之間的第二導(dǎo)電源圖案，以及

所述第二導(dǎo)電源圖案位于與所述剩余模圖案的高度相同的高度。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述剩余模圖案的頂表面與所述第一導(dǎo)電源圖案的底表面接觸。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中：

所述第二導(dǎo)電源圖案的側(cè)壁設(shè)置在所述水平圖案上；以及

所述第一導(dǎo)電源圖案的側(cè)壁與所述劃分結(jié)構(gòu)的側(cè)壁接觸。