[發明專利]鍍敷裝置及鍍敷方法

有效

• 申請號: 202010532732.0
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN112080783B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 細川孝夫
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: C25D17/16
• 分類號: C25D17/16;C25D5/08;C25D21/06;C25D21/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李國華

提供一種鍍敷裝置及鍍敷方法，鍍敷裝置具備鍍敷槽和鍍敷部。鍍敷部具備：隔壁，其是使鍍敷液通過而不使被鍍敷物通過的隔壁，構成被鍍敷物在其內側通過的被鍍敷物通過區域；噴射部，其向上方噴射鍍敷液；混合部，其將鍍敷液與被鍍敷物混合；陽極，其配設在被鍍敷物通過區域的外側；陰極，其配設在被鍍敷物通過區域的內側，具有使鍍敷液與被鍍敷物的混合流體朝向上方通過的中空區域；第一遮擋壁，其用于將通過了中空區域的混合流體向下方引導；以及第二遮擋壁，其配設在第一遮擋壁的外側。第一遮擋壁的下端處于比第二遮擋壁的上端低的位置。

技術領域

本發明涉及鍍敷裝置及鍍敷方法。

背景技術

例如，在芯片型層疊電容器等電子部件中，為了防止焊料侵蝕，或者提高基于釬焊的安裝的可靠性，通常對電子部件具備的外部電極的表面實施Ni鍍敷、Sn鍍敷。

而且，在對這樣的電子部件實施Ni鍍敷、Sn鍍敷等鍍敷的情況下，大多情況下，通過日本特開平10-212596號公報所公開的那樣的滾鍍的方法來進行。

在每次進行滾鍍時，將陰極端子在滾筒內配置為與滾筒內的被鍍敷物組相接，使得被鍍敷物成為陰極，并且，在滾筒的外側將陽極端子配置為浸入到鍍敷液，向兩極施加電流而通電，由此，對被鍍敷物進行鍍敷。

但是，在這樣的滾鍍的方法中，滾筒內的電流密度分布的不均勻性較高，所形成的鍍敷膜的膜厚偏差較大。

與此相對，在國際公開第2017/217216號中公開了一種鍍敷裝置，該鍍敷裝置構成為，一邊使被鍍敷物通過被陽極及陰極夾著的被鍍敷物通過區域，一邊進行電解鍍覆。

圖10是示出國際公開第2017/217216號所記載的鍍敷裝置200的結構的正面剖視圖。在該鍍敷裝置200中，通過下述的(a)～(c)的工序，對被鍍敷物進行鍍敷。

(a)將鍍敷液201與被鍍敷物202的混合流體203向被鍍敷物通過區域205引導的工序，該被鍍敷物通過區域205的至少一部分被使鍍敷液201通過而不使被鍍敷物202通過的隔壁204包圍；

(b)當被鍍敷物202從上方朝向下方通過被鍍敷物通過區域205時，在配設于被鍍敷物通過區域205的外側的陽極206與配設于被鍍敷物通過區域205的內側的陰極207之間施加電壓，對被鍍敷物202進行電解鍍覆的工序；

(c)在陰極207的下方，通過從下方朝上方噴射鍍敷液201，使噴射出的鍍敷液201與通過了被鍍敷物通過區域205的被鍍敷物202混合，使鍍敷液201與被鍍敷物202的混合流體203從下方朝上方通過設置于陰極207的內部的中空區域208的工序。

在(c)的工序中，從下方朝上方通過了中空區域208的混合流體203中的鍍敷液201的一部分通過能夠使鍍敷液201通過但無法使被鍍敷物202通過這一構造的鍍敷液通過部209，向外側流出。另外，混合流體203所包含的被鍍敷物202由于自身的重量而沉淀。

根據該鍍敷裝置200，能夠以穩定的電流密度進行良好的鍍敷，因此，能夠抑制所形成的鍍敷膜的膜厚偏差。

發明內容

這里，在國際公開第2017/217216號所記載的鍍敷裝置200中，可知雖然在陽極206與陰極207對置的部分流動電流，但還存在從陽極206經由在鍍敷液通過部209流動的鍍敷液201向陰極207流動電流的路徑。由于從下方朝上方通過了中空區域208的混合流體203所包含的被鍍敷物202處于未與陰極207電導通的狀態，因此，上述電流路徑中的被鍍敷物202由于雙極現象而在具有導通性的部分產生分極，可能發生氧化溶解。

本發明用于解決上述課題，其目的在于，提供一種能夠抑制雙極現象的發生的鍍敷裝置及鍍敷方法。

本發明的鍍敷裝置的特征在于，

所述鍍敷裝置具備：