[發(fā)明專利]顯示面板、透明顯示面板及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010532070.7 | 申請日: | 2020-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN111584611B | 公開(公告)日: | 2022-11-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 樊星;暴營;趙明;吳啟曉 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11415 | 代理人: | 陳蕾 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 透明 及其 制作方法 | ||
1.一種透明顯示面板,其特征在于,包括:
透光基底,所述透光基底包括顯示區(qū),所述顯示區(qū)包括交替分布的像素區(qū)與非像素區(qū);
像素結(jié)構(gòu),位于所述像素區(qū),每一所述像素結(jié)構(gòu)包括:靠近所述透光基底的第一電極、遠離所述透光基底的第二電極以及所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)光塊,所述第二電極的材料包括半透半反材料;
第二電極連接部,位于所述非像素區(qū),所述第二電極連接部連接相鄰所述第二電極,所述第二電極連接部與所述第二電極的材料相同;
以及納米材料層,包括多個彼此分離的納米島狀結(jié)構(gòu),所述納米材料層至少位于所述第二電極連接部遠離所述透光基底的一側(cè),用于通過使入射的紅外光產(chǎn)生衍射,改變波數(shù),匹配表面等離子激元的波數(shù),使紅外光對應(yīng)的表面等離子激元激發(fā)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明顯示面板,其特征在于,所述第二電極連接部與所述納米材料層的材料不同,所述第二電極連接部的材料包括:鎂、銀、鋁中的至少一種,所述納米材料層的材料包括:金、銀、鉛、鋁、鎂中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明顯示面板,其特征在于,所述納米島狀結(jié)構(gòu)為周期性分布或非周期性分布;和/或所述納米島狀結(jié)構(gòu)呈長方體、正方體、圓錐體、棱臺或半球體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的透明顯示面板,其特征在于,所述像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光方式為主動驅(qū)動方式,各個所述第二電極與各個所述第二電極連接部連接成一面電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的透明顯示面板,其特征在于,所述第二電極遠離所述透光基底的一側(cè)具有所述納米材料層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的透明顯示面板,其特征在于,所述像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光方式為被動驅(qū)動方式,所述非像素區(qū)具有第一電極連接部,位于同一第一方向的各個所述第一電極與各個所述第一電極連接部連接成一條狀電極;位于同一第二方向的各個所述第二電極與各個所述第二電極連接部連接成一條狀電極,所述第二方向與所述第一方向垂直。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的透明顯示面板,其特征在于,所述第二電極遠離所述透光基底的一側(cè)具有所述納米材料層。
8.一種顯示面板,其特征在于,包括透明顯示區(qū)與非透明顯示區(qū),所述透明顯示區(qū)具有權(quán)利要求1至7任一項所述的透明顯示面板。
9.一種透明顯示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供透光基底,所述透光基底包括顯示區(qū),所述顯示區(qū)包括交替分布的像素區(qū)與非像素區(qū);
在所述像素區(qū)形成像素結(jié)構(gòu),每一所述像素結(jié)構(gòu)包括:靠近所述透光基底的第一電極、遠離所述透光基底的第二電極以及所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)光塊,所述第二電極的材料包括半透半反材料;同時在所述非像素區(qū)形成第二電極連接部,所述第二電極連接部連接相鄰所述第二電極,所述第二電極連接部與所述第二電極在同一工序中形成;
至少在所述第二電極連接部遠離所述透光基底的一側(cè)形成納米材料層,所述納米材料層包括多個彼此分離的納米島狀結(jié)構(gòu),用于通過使入射的紅外光產(chǎn)生衍射,改變波數(shù),匹配表面等離子激元的波數(shù),使紅外光對應(yīng)的表面等離子激元激發(fā)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的透明顯示面板的制作方法,其特征在于,所述納米島狀結(jié)構(gòu)采用蒸鍍法、刻蝕法或激光燒蝕法形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





