[發(fā)明專利]顯示面板、透明顯示面板及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010532070.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111584611B | 公開(公告)日: | 2022-11-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樊星;暴營(yíng);趙明;吳啟曉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11415 | 代理人: | 陳蕾 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 透明 及其 制作方法 | ||
本發(fā)明提供了一種顯示面板、透明顯示面板及其制作方法,透明顯示面板包括透光基底、像素結(jié)構(gòu)、第二電極連接部以及納米材料層;透光基底的顯示區(qū)包括交替分布的像素區(qū)與非像素區(qū);像素結(jié)構(gòu)位于像素區(qū),包括:靠近透光基底的第一電極、遠(yuǎn)離透光基底的第二電極以及第一電極與第二電極之間的發(fā)光塊;第二電極連接部位于非像素區(qū),連接相鄰第二電極,第二電極連接部與第二電極的材料相同,都包括半透半反材料;納米材料層包括多個(gè)彼此分離的納米島狀結(jié)構(gòu),至少位于第二電極連接部遠(yuǎn)離透光基底的一側(cè),用于使紅外光對(duì)應(yīng)的表面等離子激元激發(fā)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,能提高非像素區(qū)的紅外光的透過率,可滿足屏下TOF的應(yīng)用需求。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示面板、透明顯示面板及其制作方法。
背景技術(shù)
目前顯示領(lǐng)域?qū)θ四樧R(shí)別、3D體感游戲、拍照等3D立體視覺應(yīng)用的需求越來越多。TOF(time of flight)與我們實(shí)現(xiàn)3D立體視覺體驗(yàn)有關(guān)。TOF技術(shù)的原理就是用一個(gè)發(fā)射器向物體發(fā)射激光,再由一個(gè)傳感器接收反射回來的激光信號(hào),然后再根據(jù)光線往返的時(shí)間來計(jì)算物體與手機(jī)之間距離,從而可以確定反射點(diǎn)。當(dāng)發(fā)射的激光足夠多的時(shí)候,所有的點(diǎn)就能連成一個(gè)立體面。TOF裝置的信號(hào)波長(zhǎng)一般在紅外波段(如940nm)。
在屏下放置TOF裝置時(shí),發(fā)射光首先要透過屏幕到達(dá)探測(cè)物體,然后反射光再次透過屏幕到達(dá)接收傳感器。為了接收到較強(qiáng)的反射光,屏幕在紅外波段的透過率要求很高。
常用的有機(jī)發(fā)光二極管頂電極結(jié)構(gòu)為半透明金屬薄膜,其在可見光波段透過率約為40%-60%,紅外波段透過率約為20%-40%。這就制約了整個(gè)屏幕的透過率,尤其是紅外波段的透過率。目前屏幕在紅外波段的透過率只有20-30%左右,遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足屏下TOF的應(yīng)用需求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種顯示面板、透明顯示面板及其制作方法,以解決相關(guān)技術(shù)中的不足。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明實(shí)施例的第一方面提供一種透明顯示面板,包括:
透光基底,所述透光基底包括顯示區(qū),所述顯示區(qū)包括交替分布的像素區(qū)與非像素區(qū);
像素結(jié)構(gòu),位于所述像素區(qū),每一所述像素結(jié)構(gòu)包括:靠近所述透光基底的第一電極、遠(yuǎn)離所述透光基底的第二電極以及所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)光塊,所述第二電極的材料包括半透半反材料;
第二電極連接部,位于所述非像素區(qū),所述第二電極連接部連接相鄰所述第二電極,所述第二電極連接部與所述第二電極的材料相同;
以及納米材料層,包括多個(gè)彼此分離的納米島狀結(jié)構(gòu),所述納米材料層至少位于所述第二電極連接部遠(yuǎn)離所述透光基底的一側(cè),用于使紅外光對(duì)應(yīng)的表面等離子激元激發(fā)。
需要說明的是,本申請(qǐng)中的紅外光是指波長(zhǎng)大于620nm。
可選地,所述第二電極連接部與所述納米材料層的材料不同,所述第二電極連接部的材料包括:鎂、銀、鋁中的至少一種,所述納米材料層的材料包括:金、銀、鉛、鋁、鎂中的至少一種。
可選地,所述納米島狀結(jié)構(gòu)為周期性分布或非周期性分布;和/或所述納米島狀結(jié)構(gòu)呈長(zhǎng)方體、正方體、圓錐體、棱臺(tái)或半球體。
可選地,所述像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光方式為主動(dòng)驅(qū)動(dòng)方式,各個(gè)所述第二電極與各個(gè)所述第二電極連接部連接成一面電極。
可選地,所述第一電極為反光電極。
可選地,所述第一電極為透光電極。
可選地,所述第二電極遠(yuǎn)離所述透光基底的一側(cè)具有所述納米材料層。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





