[發明專利]等離子體處理裝置和等離子體處理方法

在審

• 申請號: 202010531470.6
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN112117178A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 山田和人;遠藤宏紀;佐藤貴志
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種提高設置于靜電吸盤內的加熱器的溫度控制的精度的等離子體處理裝置。在一個例示性的實施方式所涉及的等離子體處理裝置中，按照以第一頻率規定的周期向基板支承器的下部電極供給脈沖狀的高頻電力。按照該周期向配置于基板支承器上的邊緣環施加脈沖狀的負極性的直流電壓。在基板支承器的靜電吸盤內設置有加熱器。基于加熱器的電阻值來控制向加熱器供給的電力。根據向加熱器供給的電流的采樣值和向加熱器施加的電壓的采樣值來求出加熱器的電阻值。電流的采樣值和電壓的采樣值的采樣頻率即第二頻率與第一頻率不同。

技術領域

本公開的例示性的實施方式涉及一種等離子體處理裝置和等離子體處理方法。

背景技術

在針對基板的等離子體處理中,使用等離子體處理裝置。等離子體處理裝置具備腔室、基板支承器以及高頻電源。基板支承器設置于腔室內。基板支承器包括下部電極和靜電吸盤。靜電吸盤設置于下部電極上。在基板支承器上配置邊緣環。基板配置于靜電吸盤上且由邊緣環包圍的區域內。從高頻電源向下部電極供給高頻電力，以執行等離子體處理。有時從高頻電源向下部電極周期性地供給脈沖狀的高頻電力。

當執行等離子體處理時，邊緣環被消耗，從而邊緣環的厚度減小。當邊緣環的厚度減小時，在邊緣環的上方，鞘層的上端位置變低。其結果，從等離子體向基板的邊緣傾斜地供給離子。提出一種向邊緣環施加負極性的電壓、以校正在邊緣環的上方的鞘層的上端位置的技術。該技術記載于專利文獻1中。在專利文獻1所記載的技術中，在向下部電極供給脈沖狀的高頻電力的期間，向邊緣環施加負極性的電壓。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2019-4027號公報

發明內容

發明要解決的問題

要求提高對等離子體處理裝置的靜電吸盤內設置的加熱器的溫度控制的精度。

用于解決問題的方案

在一個例示性的實施方式中，提供一種等離子體處理裝置。等離子體處理裝置具備腔室、基板支承器、高頻電源、直流電源、第一控制裝置以及第二控制裝置。基板支承器具有下部電極、靜電吸盤以及加熱器。靜電吸盤設置于下部電極上。加熱器為電阻加熱元件，其設置于靜電吸盤內。高頻電源與下部電極電連接。直流電源構成為向邊緣環施加負極性的電壓。邊緣環配置于基板支承器上。第一控制裝置構成為控制高頻電源和直流電源。第二控制裝置構成為控制從加熱器電源向加熱器供給的電力，以減小加熱器的當前溫度與設定溫度之間的差。第一控制裝置控制高頻電源，以按照以第一頻率規定的周期向下部電極供給脈沖狀的高頻電力，并控制直流電源，以按照該周期向邊緣環施加脈沖狀的負極性的電壓。第二控制裝置構成為根據向加熱器供給的電流的采樣值和向加熱器施加的電壓的采樣值來求出加熱器的電阻值。第二控制裝置構成為根據求出的電阻值確定出當前溫度，來控制電力。第一頻率與第二頻率不同，該第二頻率是第二控制裝置中的電流的采樣值和電壓的采樣值的采樣頻率。

發明的效果

根據一個例示性的實施方式，提高了對等離子體處理裝置的靜電吸盤內設置的加熱器的溫度控制的精度。

附圖說明

圖1是概要性地示出一個例示性的實施方式所涉及的等離子體處理裝置的圖。

圖2是一個例示性的實施方式所涉及的等離子體處理裝置的基板支承器的截面圖。

圖3是示出一個例示性的實施方式所涉及的等離子體處理裝置中的與對加熱器的電力供給及電力控制相關聯的結構的圖。