[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板以及電子設備在審
| 申請號: | 202010531362.9 | 申請日: | 2020-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN111653592A | 公開(公告)日: | 2020-09-11 |
| 發明(設計)人: | 程才權 | 申請(專利權)人: | OPPO廣東移動通信有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G09F9/30 |
| 代理公司: | 深圳市智圈知識產權代理事務所(普通合伙) 44351 | 代理人: | 徐川 |
| 地址: | 523860 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 顯示 面板 以及 電子設備 | ||
本申請實施例提供了一種陣列基板,包括包括基底、導電層和絕緣填充層,導電層包括依次層疊設置的第一導電層、第二導電層以及第三導電層,第一導電層形成于基底,絕緣填充層形成于第三導電層的表面,基底、導電層和絕緣填充層共同形成非顯示區和顯示區,非顯示區圍繞顯示區設置,非顯示區設置有隔離槽,以將顯示區和非顯示區隔離,隔離槽自絕緣填充層延伸進第二導電層。通過在非顯示區形成隔離槽,可以有效的隔絕水氧進入顯示區內,避免造成老化現象。同時,本申請實施例還提供陣列基板的制作方法、顯示面板以及電子設備。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,具體涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板以及電子設備。
背景技術
柔性OLED顯示面板,具有可彎折、輕薄、亮度高、和對比度高等諸多優勢,但是柔性OLED的壽命一直是這種新型顯示技術的短板;其中造成柔性OLED壽命不長的一個很重要的原因就是水氧侵入造成有機發光材料的老化。
發明內容
本申請的目的在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板以及電子設備,以改善上述技術問題。
第一方面,本申請實施例提供了一種陣列基板,包括基底、導電層和絕緣填充層,導電層包括依次層疊設置的第一導電層、第二導電層以及第三導電層,第一導電層形成于基底,絕緣填充層形成于第三導電層的表面,基底、導電層和絕緣填充層共同形成非顯示區和顯示區,非顯示區圍繞顯示區設置,非顯示區設置有隔離槽,以將顯示區和非顯示區隔離,隔離槽自絕緣填充層延伸進第二導電層。
第二方面,本申請實施例提供了一種顯示面板,包括陣列基板、柔性基板以及顯示層,陣列基板包括基底、導電層和絕緣填充層,導電層包括依次層疊設置的第一導電層、第二導電層以及第三導電層,第一導電層形成于基底,絕緣填充層形成于第三導電層的表面,基底、導電層和絕緣填充層共同形成非顯示區和顯示區,非顯示區圍繞顯示區設置,非顯示區設置有隔離槽,以將顯示區和非顯示區隔離,隔離槽自絕緣填充層延伸進第二導電層;基底貼附于柔性基板,顯示層形成于陣列基板的表面,并覆蓋顯示區以及非顯示區。
第三方面,本申請實施例提供了一種電子設備,電子設備安裝有上述的顯示面板。
第四方面,本申請實施例提供了一種陣列基板的制作方法,陣列基板包括顯示區和非顯示區,非顯示區環繞顯示區設置。制作方法包括:在基底上形成導電層,導電層包括依次層疊設置的第一導電層、第二導電層以及第三導電層;用掩膜版覆蓋導電層,在對應于非顯示區的位置形成多個微孔,多個微孔圍繞顯示區形成,且相鄰的微孔通過溝槽連通;在導電層的表面形成絕緣填充層;對絕緣填充層進行曝光、顯影,在絕緣填充層形成通孔,以漏出顯示區的柵電極以及非顯示區的微孔,并在顯影過程中,在微孔以及溝槽內形成隔離槽。
本申請提供的陣列基板及其制作方法、顯示面板以及電子設備,通過在非顯示區形成隔離槽,可以有效的隔絕水氧進入顯示區內,避免造成老化現象。同時,由于隔離槽自絕緣填充層延伸進第二導電層,隔離槽的深度和內刻量更大,隔絕效果更好。
本申請的這些方面或其他方面在以下實施例的描述中會更加簡明易懂。
附圖說明
為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例,對于本領域技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本申請實施例提供的一種陣列基板的局部結構示意圖;
圖2是本申請實施例提供的一種陣列基板的制作方法的流程圖;
圖3是本申請實施例提供的一種陣列基板的制作方法中步驟S120的狀態圖;
圖4是本申請實施例提供的一種陣列基板的制作方法中步驟S140的狀態圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





