[發(fā)明專(zhuān)利]分柵快閃存儲(chǔ)器及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010530967.6
• 申請(qǐng)日: 2020-06-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111599814B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉沖;鄒永金;曹秀亮
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H10B41/30
• 分類(lèi)號(hào): H10B41/30;H10B41/60
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種分柵快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底上形成隧穿氧化層；

在所述隧穿氧化層上生長(zhǎng)多晶硅層并在所述多晶硅層中摻雜；所述多晶硅層的頂部不摻雜，或者，在厚度方向上，所述多晶硅層的頂部的摻雜濃度小于所述多晶硅層的底部的摻雜濃度；以及

刻蝕所述多晶硅層形成字線層。

2.如權(quán)利要求1所述的分柵快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，厚度方向上，從靠近所述隧穿氧化層一側(cè)到遠(yuǎn)離所述隧穿氧化層一側(cè)，所述多晶硅層的摻雜濃度逐漸降低或階梯性降低。

3.如權(quán)利要求1所述的分柵快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述多晶硅層在一次爐管中生長(zhǎng)形成，且生長(zhǎng)所述多晶硅層的過(guò)程中，摻雜氣體的濃度逐漸降低。

4.如權(quán)利要求1所述的分柵快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述多晶硅層依次在N次爐管中分段生長(zhǎng)形成，第一次爐管中形成第一厚度的多晶硅層，第二次爐管中形成第二厚度的多晶硅層，以此類(lèi)推，第N次爐管中形成第N厚度的多晶硅層；第一次爐管至第N次爐管中的摻雜氣體的濃度逐次降低，第N次爐管中摻雜氣體濃度最低或者不摻雜；第一厚度、第二厚度至第N厚度的和等于所述多晶硅層的總厚度。

5.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的分柵快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，生長(zhǎng)所述多晶硅層的反應(yīng)氣體源包括：甲硅烷、二氯化硅烷、三氯化硅烷與四氯化硅所組成的族群中任意一個(gè)或兩個(gè)以上的組合。

6.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的分柵快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述摻雜氣體包括磷烷或硼烷。

7.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的分柵快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述多晶硅層采用N型摻雜或P型摻雜。

8.一種分柵快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上的隧穿氧化層；

位于所述隧穿氧化層上的字線層，所述字線層由多晶硅層摻雜構(gòu)成，所述多晶硅層的頂部不摻雜，或者，在厚度方向上，所述多晶硅層的頂部的摻雜濃度小于所述多晶硅層的底部的摻雜濃度。

9.如權(quán)利要求8所述的分柵快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，厚度方向上，從靠近所述隧穿氧化層一側(cè)到遠(yuǎn)離所述隧穿氧化層一側(cè)，所述多晶硅層的摻雜濃度逐漸降低。

10.如權(quán)利要求8或9所述的分柵快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，所述襯底上設(shè)有源線層和浮柵氧化層，所述浮柵氧化層表面沉積有浮柵多晶硅層，所述源線層與字線層之間設(shè)有第一側(cè)墻，所述源線層與所述浮柵氧化層和浮柵多晶硅層之間設(shè)有第二側(cè)墻。