[發明專利]一種微陣列吸附基板、驅動電路以及顯示裝置

有效

• 申請號: 202010530718.7
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN111725125B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 杜彥英
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L27/12;H10K59/121;B32B7/025;B32B7/06;B32B15/08;B32B27/06;B32B27/28;B32B33/00
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 何輝

本申請實施例一種微陣列吸附基板、驅動電路以及顯示裝置，微陣列吸附基板包括臨時基材、靜電吸附微陣列結構以及保護膜，臨時基材具有相對設置的第一面和第二面，靜電吸附微陣列結構設置在所述第一面，所述靜電吸附微陣列結構用于進行充電和放電，所述保護膜設置在所述靜電吸附微陣列結構遠離所述臨時基材的一面，且嵌入所述靜電吸附微型陣列結構間隙中。通過對臨時基材上的靜電吸附微陣列結構進行充電，使得臨時基材可以吸附在臨時基板上，在加工完成后，對靜電吸附微陣列結構的放電，使得臨時基材從臨時基板上剝離，從而極大地降低剝離對臨時基材的損傷。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種微陣列吸附基板、驅動電路以及顯示裝置。

背景技術

隨著現代半導體與顯示技術的蓬勃發展，微陣列吸附基板開始大量應用在半導體及顯示等領域中，可撓曲的顯示屏幕、電池、電路板等成為目前最具吸引力的開發及市場寵兒。由于針對微陣列吸附基板的滾對滾生產加工技術尚遠未成熟，對于基于各種臨時基材的集成電路等器件加工采用臨時鍵合的方法，以柔性OLED屏幕加工為例，首先將臨時基材聚酰亞胺薄膜以非晶硅作為臨時鍵合膜層形成在玻璃基板上，陣列及器件加工結束后，以激光照射玻璃基板背面使非晶硅解離從而將聚酰亞胺薄膜剝離。

該種方式為目前對基板損傷相對可接受的加工方式，但激光剝離成本高昂，臨時基板難以回收利用，同時非晶硅在激光下氫鍵裂解的剝離方式對臨時基材形成掃描式的沖擊，微陣列吸附基板發生較大形變從而剝離后呈現不平整狀態，給后續工序帶來新的挑戰和困擾。

因此，提供一種不容易損傷的微陣列吸附基板成為本領域技術人員亟待解決的技術問題。

發明內容

本申請實施例提供一種微陣列吸附基板、驅動電路以及顯示裝置，能夠降低微陣列吸附基板剝離時被損傷。

本申請提供一種微陣列吸附基板，包括：

臨時基材，具有相對設置的第一面和第二面；

靜電吸附微陣列結構，設置在所述第一面，所述靜電吸附微陣列結構用于進行充電和放電；

保護膜，所述保護膜設置在所述靜電吸附微陣列結構遠離所述臨時基材的一面，且嵌入所述靜電吸附微型陣列結構間隙中。

在一些實施例中，所述靜電吸附微陣列結構包括至少一組鎖存器電路和與鎖存器電路串聯的電容電路，所述鎖存器電路用于給所述電容電路充電。

在一些實施例中，所述保護膜為聚酰亞胺薄膜。

在一些實施例中，所述聚酰亞胺薄膜的厚度為10至1000微米。

在一些實施例中，所述電容電路每一條線的寬度為10至1000微米。

在一些實施例中，所述保護膜為氧化鋁膜層、氮化硅、氧化鉿、石英以及聚四氟乙烯中任一種。

本申請實施例還提供一種驅動電路，應用于以上所述的微陣列吸附基板中，所述驅動電路包括電源，所述電源包括第一端和第二端，所述第一端具有第一接口和第二接口，所述第一接口與第一場效應晶體管連接，所述第一場效應晶體管分別連接第二場效應晶體管和第三場效應晶體管，所述第一場效應晶體管、第二場效應晶體管以及第三場效應晶體管與第二端連接，所述第二接口與第六場效應晶體管連接，所述第六場效應晶體管分別與第五場效應晶體管和第四場效應晶體管連接，所述第三場效應晶體管和所述第四場效應晶體管之間連接有電容，所述第四場效應晶體管、第五場效應晶體管以及六場效應晶體管與第二端連接，所述第一端與第一開關和第四開關連接，所述第二端與第二開關和第三開關連接。