[發(fā)明專利]一種微陣列吸附基板、驅(qū)動電路以及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010530718.7
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN111725125B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發(fā)明（設計）人: 杜彥英
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L27/12;H10K59/121;B32B7/025;B32B7/06;B32B15/08;B32B27/06;B32B27/28;B32B33/00
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 何輝

1.一種應用于微陣列吸附基板的驅(qū)動電路，其特征在于，所述微陣列吸附基板包括：

臨時基材，具有相對設置的第一面和第二面；

靜電吸附微陣列結(jié)構(gòu)，設置在所述第一面，所述靜電吸附微陣列結(jié)構(gòu)用于進行充電和放電，所述靜電吸附微陣列結(jié)構(gòu)包括電容電路，所述電容電路包括電容，當所述電容充電后，所述微陣列吸附基板對待吸附物進行吸附；當所述電容放電后，所述微陣列吸附基板與待吸附物之間分開；

保護膜，所述保護膜設置在所述靜電吸附微陣列結(jié)構(gòu)遠離所述臨時基材的一面，且嵌入所述靜電吸附微型陣列結(jié)構(gòu)間隙中；

其中，所述驅(qū)動電路包括電源，所述電源包括第一端和第二端，所述第一端具有第一接口和第二接口，所述第一接口與第一場效應晶體管連接，所述第一場效應晶體管分別連接第二場效應晶體管和第三場效應晶體管，所述第一場效應晶體管、第二場效應晶體管以及第三場效應晶體管與所述第二端連接，所述第二接口與第六場效應晶體管連接，所述第六場效應晶體管分別與第五場效應晶體管和第四場效應晶體管連接，所述第三場效應晶體管和所述第四場效應晶體管之間連接有所述電容，所述第四場效應晶體管、第五場效應晶體管以及六場效應晶體管與所述第二端連接，所述第一端與第一開關(guān)和第四開關(guān)連接，所述第二端與第二開關(guān)和第三開關(guān)連接；

其中，當充電時，所述第一開關(guān)與所述第一場效應晶體管、第二場效應晶體管以及第三場效應晶體管連接，所述第三開關(guān)與所述第四場效應晶體管、第五場效應晶體管以及第六場效應晶體管連接，當放電時，第二開關(guān)與所述第一場效應晶體管、第二場效應晶體管以及第三場效應晶體管連接，第三開關(guān)與所述第四場效應晶體管、第五場效應晶體管以及第六場效應晶體管連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動電路，其特征在于，所述保護膜為聚酰亞胺薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動電路，其特征在于，所述聚酰亞胺薄膜的厚度為10至1000微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動電路，其特征在于，所述電容電路每一條線的寬度為10至1000微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動電路，其特征在于，所述保護膜為氧化鋁膜層、氮化硅、氧化鉿、石英以及聚四氟乙烯中任一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一端為正電位，所述第二端為負電位。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括微陣列吸附基板和如權(quán)利要求1-6任一項所述的驅(qū)動電路，所述微陣列吸附基板還設置金屬層，所述金屬層包括半導體層，所述半導體層兩側(cè)設有重摻雜區(qū)，所述半導體層上設有柵極介質(zhì)層，所述柵極介質(zhì)層上設有柵極金屬層，所述半導體層與源漏極金屬層接觸。