[發明專利]一種多重圖形化的方法

在審

• 申請號: 202010530623.5
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN113808938A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 黃元泰;周娜;李俊杰;楊濤;李俊峰;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 佟林松

1.一種半導體結構的制造方法，包括：

提供半導體襯底，半導體襯底上有第一硬掩模層；

形成芯軸圖案以及上方的第二硬掩模層；

形成側墻層；

采用原子層刻蝕工藝對側墻層進行刻蝕以形成芯軸兩側的側墻。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述原子層刻蝕工藝包括，

前驅體吸附工序；

吸附后吹掃工序；

活化工序；

活化后吹掃工序，

以及，以上工序重復進行一次以上。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于：

重復進行1-100次。

4.根據權利要求2-3任意一項所述的制造方法，其特征在于：

前驅體吸附工序中，將包含含硼鹵素氣體的前驅體氣體和惰性氣體供給到處理腔室；進一步的，所述含硼鹵素氣體包含BCl₃，所述惰性氣體包含N₂、Ar和He所組成的組中的任意一種或者兩種以上的組合。

5.根據權利要求2-3任意一項所述的制造方法，其特征在于：

前驅體吸附工序中，將包含C_xF_y的前驅體氣體和惰性氣體供給到處理腔室；進一步的，所述惰性氣體包含N₂、Ar和He所組成的組中的任意一種或者兩種以上的組合。

6.根據權利要求2-3任意一項所述的制造方法，其特征在于：

前驅體吸附工序中，將包含C_xH_yF_z的前驅體氣體和惰性氣體供給到處理腔室；進一步的，所述惰性氣體包含N₂、Ar和He所組成的組中的任意一種或者兩種以上的組合。

7.根據權利要求2-3任意一項所述的制造方法，其特征在于：

吸附后吹掃工序和/或活化后吹掃工序包括，

供給吹掃氣體；

在泵送閥全開的狀態下，抽出吹掃氣體。

8.根據權利要求2-3任意一項所述的制造方法，其特征在于：

活化工序中，添加反應性氣體到活化處理氣體中；進一步的，所述反應性氣體包含O₂。

9.根據權利要求2-3任意一項所述的制造方法，其特征在于：

所述各個工序的處理時間在10秒以內。