[發(fā)明專利]一種加熱前后方阻恒定的低溫鍍膜工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010530548.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111560591A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張紅;鞏燕龍;鄭琦林;劉月豹;凌穎;高峰;張浩;石榮飛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 安徽方興光電新材料科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/10;C23C14/08;C08J7/06 |
| 代理公司: | 昆明合眾智信知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 53113 | 代理人: | 周勇 |
| 地址: | 233010 安*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 加熱 后方 恒定 低溫 鍍膜 工藝 | ||
1.一種加熱前后方阻恒定的低溫鍍膜工藝,其特征在于:包括如下步驟:
將成卷的柔性PET基材放置于放卷輥輪上,牽引柔性PET基材一端經(jīng)過(guò)低溫鍍膜室纏繞在收卷輥輪上,利用收卷輥輪提供動(dòng)力牽引柔性PET基材放卷并在收卷輥輪上進(jìn)行纏繞收集;
PET基材在低溫鍍膜室內(nèi)依次經(jīng)過(guò)底層SiO2鍍膜區(qū)、ITO鍍膜區(qū)和表層SiO2鍍膜區(qū);
向ITO鍍膜區(qū)通入氬氣和氧氣的混合氣體,并控制氧氣通入量在氣體總通入量中的占比為2.3%;
鍍膜完成后的柔性柔性PET基材從收卷輥輪上取出,并通過(guò)清洗烘干裝置進(jìn)行清洗烘干。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種加熱前后方阻恒定的低溫鍍膜工藝,其特征在于:PET基材表面從上到下依次鍍有面層SiO2膜材(1)、ITO膜材(2)和底層SiO2膜材(3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種加熱前后方阻恒定的低溫鍍膜工藝,其特征在于:收卷輥輪帶動(dòng)柔性PET基材的移動(dòng)速度為2m/s,底層SiO2鍍膜區(qū)功率為8-16kw、ITO鍍膜區(qū)功率為15-20kw、表層SiO2鍍膜區(qū)功率為2.4-4kw。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種加熱前后方阻恒定的低溫鍍膜工藝,其特征在于:所述面層SiO2膜材(1)的厚度為3-5nm,所述底層SiO2膜材(3)的厚度為10-20nm。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





