[發明專利]一種在碳化硅表面鍍銀的方法

在審

• 申請號: 202010530126.5
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN111663124A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 劉亞華;李天然;詹海洋
• 申請（專利權）人: 大連理工大學
• 主分類號: C23C18/44
• 分類號: C23C18/44;C23C18/18;C25D3/46;C25D5/54;C23C28/02
• 代理公司: 大連理工大學專利中心 21200
• 代理人: 李曉亮;潘迅

一種在碳化硅表面鍍銀的方法，屬于表面處理技術領域，包括如下步驟：除油、粗化、敏化、活化、還原、化學鍍、電鍍、水洗和烘干，其中除油劑為質量分數10％的氫氧化鈉溶液；粗話劑為質量分數10％的硝酸溶液；敏化劑成分如下：質量分數2％的鹽酸、質量分數2.8％的二水合氯化硅；活化劑成分如下：質量分數0.37％的鹽酸、質量分數0.05％氯化亞錫、還原劑為濃度為25g/L的次磷酸二氫鈉溶液；化學鍍A液成分如下：質量分數5.4％的硝酸銀、質量分數2.3％氫氧化鈉、適量氨水；化學鍍B液成分如下：質量分數4.2％的葡萄糖、質量分數0.4％的酒石酸、質量分數1％的乙醇。通過本發明可以在碳化硅表面電鍍一層致密的銀層，可以應用于目前的需求領域。

技術領域

本發明屬于表面處理技術領域，涉及一種在碳化硅表面鍍銀的方法。

背景技術

碳化硅是一種人造的無機非金屬材料，具有導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性高、硬度高等優點，廣泛應用于航天航空、機械、化工、冶金及電子領域，可以制成火箭噴管、燃氣輪機葉片及高溫爐構件等產品，然后這種材料電磁屏蔽效果較差。

銀鍍層很容易拋光，有很強的反光能力和良好的導熱、導電、焊接性及電磁屏蔽性，所以在碳化硅表面鍍銀可以極大改善其性能。由于碳化硅的絕緣性，很難利用傳統方法在其表面形成均勻的銀鍍層，因此提出一種在碳化硅表面鍍銀的方法具有重要的實際應用價值。

專利CN102691055A公開了一種新型碳化硅納米顆粒的制備方法，采用化學鍍在碳化硅納米顆粒的表面鍍一層厚度約為2-5nm的納米銀顆粒，該方法具有易于工業放大等優點，但僅適用于碳化硅顆粒表面鍍銀，而本專利則提出一種在碳化硅板材上鍍銀的方法。

發明內容

針對現在技術中存在的不足，本發明的目的是擬以化學鍍和電鍍結合的方法解決上述現有的技術問題，提供一種在碳化硅表面鍍銀的方法。

為實現上述目的，本發明采用的技術方案如下：

一種在碳化硅表面鍍銀的方法，包括以下步驟：

(1)除油：通過在除油劑中超聲處理碳化硅，對其表面進行除油；

(2)粗化：通過在粗化劑中超聲處理碳化硅，對其表面進行粗化；

(3)敏化：通過在敏化劑中超聲處理碳化硅，對其表面進行敏化；

(4)活化：通過在活化劑中超聲處理碳化硅，對其表面進行活化；

(5)還原：通過還原劑對碳化硅表面進行還原處理；

(6)化學鍍：配制A液和B液，將碳化硅放入B液中，將A液按1：1的比例與B液混合預鍍銀；

(7)電鍍：將步驟(6)預鍍銀后的碳化硅作為陰極，銀板作為陽極，在電解液中進行電鍍，再次鍍上一層銀。

進一步的，所述除油劑為質量分數10％的氫氧化鈉溶液，超聲處理時間為5分鐘。

進一步的，所述粗化劑為質量分數10％的硝酸溶液，超聲處理時間為2分鐘。

進一步的，所述敏化劑由鹽酸、二水合氯化硅、水組成，其各組分質量分數為：質量分數2％的鹽酸、質量分數2.8％的二水合氯化硅，其余為水；超聲處理時間為30分鐘。

進一步的，所述活化劑由鹽酸、氯化亞錫、水組成，其各組分質量分數為：含有如下組成成分：質量分數0.37％的鹽酸、質量分數0.05％氯化亞錫，其余為水；超聲處理時間為5分鐘。

進一步的，所述還原劑為濃度為25g/L的次磷酸二氫鈉溶液，超聲處理5分鐘。