[發明專利]一種具有凸點焊盤的LED芯片設計方法在審
| 申請號： | 202010529895.3 | 申請日： | 2020-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN111799356A | 公開（公告）日： | 2020-10-20 |
| 發明（設計）人： | 王思博;廖漢忠 | 申請（專利權）人： | 淮安澳洋順昌光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 遼寧鴻文知識產權代理有限公司 21102 | 代理人： | 楊植 |
| 地址： | 223001*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 點焊 led 芯片 設計 方法 | ||
1.一種具有凸點焊盤的LED芯片設計方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、提供一襯底，依次在襯底上制作N型半導體層、發光層和P型半導體層，形成LED晶圓；
S2、使用光刻膠形成MESA圖層，以MESA圖層為掩模對LED晶圓進行ICP刻蝕，形成N型半導體臺面并去除光刻膠；
S3、在LED晶圓上沉積電流阻擋層CBL，使用光刻膠進行CBL光刻，在光刻膠層上形成CBL圖層；對CBL圖層進行電流阻擋層刻蝕，形成與CBL圖層相對應的電流阻擋層，并去除光刻膠；
S4、在LED晶圓上沉積ITO透明導電層，使用光刻膠進行ITO光刻，形成所需ITO圖層，以ITO圖層為掩模對ITO透明導電層進行ITO刻蝕，去除光刻膠漏出底層ITO透明導電層；
S5、制作隔離槽，使用光刻膠進行Isolation光刻，在光刻膠上形成Isolation圖層，以Isolation圖層為掩模進行ICP刻蝕，刻蝕到襯底上形成隔離槽并去除光刻膠；
S6、使用光刻膠先進行光刻，沉積制作P電極和N電極再去除光刻膠；
S7、沉積SiO2及Ti3O5交替組成的DBR布拉格反射層PV，DBR厚度在2～6um；太薄會缺少反射效果，太厚會導致刻蝕時間過長；
S8、使用光刻膠進行PV光刻，在光刻膠上形成PV圖層，以PV圖層為掩模進行ICP刻蝕，刻蝕到PN電極層，去除PV光刻后的光刻膠；
S9、制作凸點焊盤，步驟如下：
(1)凸點焊盤的數量為2個或2個的整數倍；
(2)凸點焊盤的形狀為方形或圓形；
(3)凸點焊盤的厚度為10um～100um，凸點和芯片的總厚度小于芯片的短邊寬度；
(4)凸點焊盤采用印刷工藝或電鍍方式制作，電鍍方式是濺射或蒸鍍；
(5)凸點焊盤的材料是Sn，Sn/Ag/Cu，Sn/Cu或Au/Sn有粘合性和導電性的單一金屬或合金金屬；
(6)凸點焊盤的表面為平面形貌或弧面形貌；
S10、凸點焊盤在使用時，在相應基板上涂布助焊劑，芯粒放在相應位置后進行回流，回流溫度在220℃～270℃之間。
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