[發(fā)明專利]靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010529866.7
• 申請(qǐng)日: 2020-06-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113809083A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪慶文;林俊賢;陳建宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11
• 分類號(hào): H01L27/11;H01L21/8244
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種制作靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，包含：

形成柵極結(jié)構(gòu)于基底上；

形成外延層于該柵極結(jié)構(gòu)旁；

形成第一層間介電層環(huán)繞該柵極結(jié)構(gòu)；

將該柵極結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為金屬柵極；

形成第一接觸洞暴露該外延層；以及

形成第一阻障層于該第一接觸洞內(nèi)，其中該第一阻障層底部包含富鈦部分且該第一阻障層頂部包含富氮部分。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，另包含：

形成該第一接觸洞暴露該外延層以及第二接觸洞暴露該金屬柵極；

形成該第一阻障層于該第一接觸洞以及該第二接觸洞；

形成金屬層于該第一阻障層上；

平坦化該金屬層以及該第一阻障層以形成第一接觸插塞以及第二接觸插塞；

形成第二層間介電層于該第一層間介電層上；以及

形成第三接觸插塞于該第一接觸插塞上以及第四接觸插塞于該第二接觸插塞上。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，另包含于形成該金屬層后進(jìn)行退火制作工藝以形成金屬硅化物。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成該第一阻障層的步驟另包含：

進(jìn)行第一沉積制作工藝以形成第一層于該第一接觸洞內(nèi)；

進(jìn)行第一處理制作工藝于該第一層上；

進(jìn)行第二沉積制作工藝以形成第二層于該第一層上；以及

進(jìn)行第二處理制作工藝于該第二層上。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該第一層的氮濃度低于該第二層的氮濃度。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該第二層的鈦濃度低于該第一層的鈦濃度。

7.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該第一處理制作工藝包含氫氣以及氮?dú)狻?/p>

8.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該第二處理制作工藝包含氫氣以及氮?dú)狻?/p>

9.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該第二處理制作工藝時(shí)間大于該第一處理制作工藝時(shí)間。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，另包含于形成該第一阻障層之前形成第二阻障層于該第一接觸洞內(nèi)。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該第一阻障層包含氮化鈦且該第二阻障層包含鈦。

12.一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其特征在于，包含：

柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)于基底上；

外延層，設(shè)于該柵極結(jié)構(gòu)旁；

第一接觸插塞，設(shè)于該外延層上；

第二接觸插塞，設(shè)于該柵極結(jié)構(gòu)上；

第一層間介電層，環(huán)繞該第一接觸插塞、該第二接觸插塞以及該柵極結(jié)構(gòu)；

第三接觸插塞，設(shè)于該第一接觸插塞上；

第四接觸插塞，設(shè)于該第二接觸插塞上；以及

第二層間介電層，環(huán)繞該第三接觸插塞以及該第四接觸插塞。

13.如權(quán)利要求12所述的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中該第一接觸插塞頂部切齊該第二接觸插塞頂部。

14.如權(quán)利要求12所述的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中該第三接觸插塞頂部切齊該第四接觸插塞頂部。

15.如權(quán)利要求12所述的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，另包含金屬硅化物，設(shè)于該外延層以及該第一接觸插塞之間。

16.如權(quán)利要求12所述的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中各該第一接觸插塞以及該第二接觸插塞包含：

第一阻障層；

第二阻障層，設(shè)于該第一阻障層上；以及

金屬層，設(shè)于該第二阻障層上。