[發(fā)明專利]殼體的制備方法、殼體以及電子產(chǎn)品有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010529692.4 | 申請日: | 2020-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN113811107B | 公開(公告)日: | 2023-05-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李可峰;許仁;王偉 | 申請(專利權(quán))人: | 維達力科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K5/02 | 分類號: | H05K5/02 |
| 代理公司: | 華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 王南杰 |
| 地址: | 437300 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 殼體 制備 方法 以及 電子產(chǎn)品 | ||
本發(fā)明涉及一種殼體的制備方法、殼體以及電子產(chǎn)品。通過在離子注入之后,對離子注入處理的表面在500℃~1600℃溫度下熱處理3s~90s,能夠充分發(fā)揮離子注入的誘導(dǎo)效果,在該溫度的熱處理下,殼體基材的表層能夠形成穩(wěn)定的結(jié)晶強化層,在結(jié)合離子注入處理的作用下,該結(jié)晶強化層能夠有效提高殼體的表面硬度,使得殼體具有良好且穩(wěn)定的表面硬度和強度。同時,在500℃~1600℃溫度下進行熱處理,在3s~90s內(nèi)就能夠有效提高殼體的表面硬度,能夠縮短殼體的加工時間,提高生產(chǎn)效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及殼體技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種殼體的制備方法、殼體以及電子產(chǎn)品。
背景技術(shù)
隨著電子產(chǎn)品的日益普及,電子產(chǎn)品的性能也在不斷發(fā)展。在電子產(chǎn)品的更替迭代過程中,越來越多功能多樣、外表美觀的電子產(chǎn)品進入人們的生活。在電子產(chǎn)品的組成中,殼體發(fā)揮著重要的作用,殼體的作用之一是可以將電子產(chǎn)品的內(nèi)部元件與外界環(huán)境隔開,避免外界環(huán)境的變化給電子產(chǎn)品的內(nèi)部元件造成不良影響。
然而,傳統(tǒng)的制備方法得到的殼體在表面硬度方面表現(xiàn)欠佳。尤其是在便攜式電子產(chǎn)品中,傳統(tǒng)的殼體表面硬度不佳,在頻繁的使用中,電子產(chǎn)品的表面容易出現(xiàn)磨損和劃痕等問題,嚴(yán)重影響電子產(chǎn)品的外觀質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要提供一種殼體的制備方法,所述制備方法能夠有效提高殼體的表面硬度。
另外,還有必要提供一種殼體,所述殼體具有優(yōu)良且穩(wěn)定的表面硬度,在使用過程中殼體的表面不易出現(xiàn)磨損和劃痕等問題,表現(xiàn)出穩(wěn)定的外觀性能。
除了以上殼體的制備方法和殼體,還有必要提供一種電子產(chǎn)品,所述電子產(chǎn)品包括所述殼體,所述電子產(chǎn)品具有優(yōu)良且穩(wěn)定的表面硬度。在日常使用過程中,所述電子產(chǎn)品不易出現(xiàn)磨損和劃痕等問題,能夠保持穩(wěn)定的外觀質(zhì)量。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的具體方案如下:
本發(fā)明的一個目的在于提供一種殼體的制備方法,所述制備方法包括如下步驟:
在殼體基材的一個表面進行離子注入處理,得到殼體預(yù)成品;
對所述殼體預(yù)成品進行所述離子注入處理的表面進行熱處理;
所述熱處理的溫度為500℃~1600℃,所述熱處理的時間為3s~90s。
在其中一個實施例中,所述殼體基材為玻璃殼體基材、金屬殼體基材、陶瓷殼體基材或塑料殼體基材。
在其中一個實施例中,所述熱處理的升溫速度為10℃/s~600℃/s。
在其中一個實施例中,所述制備方法還包括在所述熱處理之后對所述殼體預(yù)成品進行冷卻處理的步驟。
在其中一個實施例中,所述制備方法還包括在所述熱處理之后對所述殼體預(yù)成品進行化學(xué)強化處理的步驟。
在其中一個實施例中,所述化學(xué)強化處理包括如下步驟:在100℃~800℃下,采用強化液對所述殼體預(yù)成品進行化學(xué)強化處理,所述化學(xué)強化處理的處理時間為0.01h~30h。
在其中一個實施例中,所述強化液為硝酸鉀熔融液,或者所述強化液為含有鈉離子和鋰離子中至少一種離子的硝酸鉀熔融液,或者所述強化液為離子交換溶液。。
在其中一個實施例中,所述離子注入處理中注入的離子為氮、碳、氧、磷、硅、鋰、鈉、鉀、鎂、鈣、鋇、鋁、鈦、鉻、銅、銀、金、鋅、鐵、錳、鈰以及鋯中的至少一種。
在其中一個實施例中,所述離子注入處理中離子注入的深度為0.01μm~100μm。
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