[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010529286.8 | 申請日: | 2020-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN111640773B | 公開(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙夢 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/12;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 | ||
本公開提供了一種陣列基板及其制備方法,屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。該陣列基板的制備方法包括:在襯底基板的一側(cè)依次形成驅(qū)動電路層、第一電極層、像素定義層、第一圖案限定層和有機發(fā)光材料層,其中,驅(qū)動電路層包括第一驅(qū)動電路和第二驅(qū)動電路,第一電極層包括與第一驅(qū)動電路電連接的轉(zhuǎn)接電極、與第二驅(qū)動電路電連接的像素電極,像素定義層設(shè)置有連接過孔,連接過孔暴露至少部分轉(zhuǎn)接電極,第一圖案限定層覆蓋連接過孔;去除第一圖案限定層后依次形成第二圖案限定層和第二電極層,第二圖案限定層環(huán)繞連接過孔,第二電極層包括隔離的公共電極和指紋識別電極。該陣列基板的制備方法使得自電容式指紋識別傳感器內(nèi)嵌至OLED顯示面板。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板及其制備方法。
背景技術(shù)
自電容式指紋識別傳感器(self-capacitive finger-print sensor)具有精度高、抗噪性能好等特性。當(dāng)手指接觸指紋識別區(qū)域時,指紋中的脊與谷分別與指紋識別傳感器形成不同的電容值,通過檢測各個指紋識別傳感器的檢測信號,就可以組合成指紋的圖案。OLED顯示面板(有機電致發(fā)光顯示面板)具有公共電極層,這使得自電容式指紋識別傳感器難以內(nèi)嵌至OLED顯示面板中。
所述背景技術(shù)部分公開的上述信息僅用于加強對本公開的背景的理解,因此它可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
本公開的目的在于提供一種陣列基板及其制備方法,使得自電容式指紋識別傳感器內(nèi)嵌至OLED顯示面板。
為實現(xiàn)上述發(fā)明目的,本公開采用如下技術(shù)方案:
根據(jù)本公開的第一個方面,提供一種陣列基板的制備方法,包括:
提供一襯底基板;
在所述襯底基板的一側(cè)形成驅(qū)動電路層,所述驅(qū)動電路層包括第一驅(qū)動電路和第二驅(qū)動電路;
在所述驅(qū)動電路層遠離所述襯底基板的一側(cè)形成第一電極層,所述第一電極層包括與所述第一驅(qū)動電路電連接的轉(zhuǎn)接電極、與所述第二驅(qū)動電路電連接的像素電極;
在所述第一電極層遠離所述襯底基板的一側(cè)形成像素定義層,所述像素定義層設(shè)置有像素開口和連接過孔,所述像素開口暴露至少部分所述像素電極,所述連接過孔暴露至少部分所述轉(zhuǎn)接電極;
在所述像素定義層遠離所述襯底基板的一側(cè)形成第一圖案限定層,所述第一圖案限定層覆蓋所述連接過孔且暴露所述像素開口;
在所述第一圖案限定層遠離所述襯底基板的一側(cè)形成有機發(fā)光材料層,所述有機發(fā)光材料層覆蓋所述像素開口和所述第一圖案限定層;
去除所述第一圖案限定層,使得所述有機發(fā)光材料層形成有機發(fā)光層;
在所述像素定義層遠離所述襯底基板的一側(cè)形成環(huán)繞所述連接過孔的第二圖案限定層;
在所述第二圖案限定層遠離所述襯底基板的一側(cè)形成第二電極層,所述第二電極層包括被所述第二圖案限定層隔離的公共電極和指紋識別電極。
在本公開的一種示例性實施例中,在所述像素定義層遠離所述襯底基板的一側(cè)形成第一圖案限定層包括:
在所述像素定義層遠離所述襯底基板的一側(cè)形成第一可移除基底材料層;
在所述第一可移除基底材料層遠離所述襯底基板的一側(cè)形成第一光刻膠材料層;
對所述第一光刻膠材料層進行圖案化操作以形成第一掩膜層,所述連接過孔在所述第一掩膜層上的正投影位于所述第一掩膜層內(nèi);
以所述第一掩膜層為掩膜,對所述第一可移除基底材料層進行圖案化操作以形成第一可移除基底層,所述第一可移除基底層和所述第一掩膜層組成所述第一圖案限定層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





