[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010529286.8
• 申請(qǐng)日: 2020-06-11
• 公開（公告）號(hào): CN111640773B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙夢(mèng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L27/12;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板的一側(cè)形成驅(qū)動(dòng)電路層，所述驅(qū)動(dòng)電路層包括第一驅(qū)動(dòng)電路和第二驅(qū)動(dòng)電路；

在所述驅(qū)動(dòng)電路層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成第一電極層，所述第一電極層包括與所述第一驅(qū)動(dòng)電路電連接的轉(zhuǎn)接電極、與所述第二驅(qū)動(dòng)電路電連接的像素電極；

在所述第一電極層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成像素定義層，所述像素定義層設(shè)置有像素開口和連接過(guò)孔，所述像素開口暴露至少部分所述像素電極，所述連接過(guò)孔暴露至少部分所述轉(zhuǎn)接電極；

在所述像素定義層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成第一圖案限定層，所述第一圖案限定層覆蓋所述連接過(guò)孔且暴露所述像素開口；

在所述第一圖案限定層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成有機(jī)發(fā)光材料層，所述有機(jī)發(fā)光材料層覆蓋所述像素開口和所述第一圖案限定層；

去除所述第一圖案限定層，使得所述有機(jī)發(fā)光材料層形成有機(jī)發(fā)光層；

在所述像素定義層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成環(huán)繞所述連接過(guò)孔的第二圖案限定層；

在所述第二圖案限定層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成第二電極層，所述第二電極層包括被所述第二圖案限定層隔離的公共電極和指紋識(shí)別電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述像素定義層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成第一圖案限定層包括：

在所述像素定義層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成第一可移除基底材料層；

在所述第一可移除基底材料層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成第一光刻膠材料層；

對(duì)所述第一光刻膠材料層進(jìn)行圖案化操作以形成第一掩膜層，所述連接過(guò)孔在所述第一掩膜層上的正投影位于所述第一掩膜層內(nèi)；

以所述第一掩膜層為掩膜，對(duì)所述第一可移除基底材料層進(jìn)行圖案化操作以形成第一可移除基底層，所述第一可移除基底層和所述第一掩膜層組成所述第一圖案限定層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述像素定義層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成第一可移除基底材料層包括：

使用第一基底材料，在所述像素定義層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成第一可移除基底材料層；其中，所述第一基底材料包含有第一氟化高分子材料；

對(duì)所述第一可移除基底材料層進(jìn)行圖案化操作以形成第一可移除基底層包括：

使用第一剝離液對(duì)所述第一可移除基底材料層進(jìn)行圖案化操作，以去除所述第一可移除基底材料層未被所述第一掩膜層覆蓋的部分；其中，所述第一剝離液包含有第一氟化溶劑。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，對(duì)所述第一可移除基底材料層進(jìn)行圖案化操作以形成第一可移除基底層還包括：

使用第一剝離液對(duì)所述第一可移除基底材料層進(jìn)行圖案化操作時(shí)，去除所述第一可移除基底材料層被所述第一掩膜層覆蓋的部分中的一部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，去除所述第一圖案限定層包括：

使用第二剝離液去除所述第一可移除基底層進(jìn)而去除所述第一掩膜層，所述第二剝離液包含有第二氟化溶劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述像素定義層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成環(huán)繞所述連接過(guò)孔的第二圖案限定層包括：

在所述有機(jī)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成第二可移除基底材料層；

在所述第二可移除基底材料層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成第二光刻膠材料層；

對(duì)所述第二光刻膠材料層進(jìn)行圖案化操作以形成第二掩膜層，所述第二掩膜層在所述像素定義層上的正投影環(huán)繞所述連接過(guò)孔；

以所述第二掩膜層為掩膜，對(duì)所述第二可移除基底材料層進(jìn)行圖案化操作以形成第二可移除基底層，所述第二可移除基底層和所述第二掩膜層組成所述第二圖案限定層。