[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010528837.9 | 申請日: | 2020-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN111725277A | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 鄭穎 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/00;H01L25/16;H01L25/00 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 何輝 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本申請公開一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置,所述顯示面板包括:基板,所述基板具有第一襯底、第二襯底以及位于所述第一襯底和所述第二襯底之間的黏附層;其中,所述第二襯底及所述黏附層上貫設有過孔以連通所述第一襯底,以使所述顯示面板在所述過孔處具有較好的透光性。采用所述的顯示面板制得的顯示裝置,將傳感器正對所述顯示面板的所述過孔設置,能夠降低光信號在所述顯示裝置中的損失,便于所述顯示裝置兼顧成像效果及全面屏設計。
技術(shù)領域
本申請涉及顯示技術(shù)領域,尤其涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
由于顯示裝置各膜層對可見光的透過率影響較大,因此為使攝像頭區(qū)域有較好的成像效果,一般會在攝像區(qū)域進行開孔。但開孔占據(jù)了顯示裝置一定的顯示區(qū)域,若顯示裝置不開孔,則攝像頭成像時短光波會有損失,成像易失真;但顯示裝置開孔,就無法使顯示裝置實現(xiàn)真正意義上的全面屏顯示。所以,如何兼顧實現(xiàn)全面屏顯示,并保證攝像頭的成像效果成為顯示技術(shù)領域關(guān)注的焦點。
發(fā)明內(nèi)容
本申請實施例提供一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置,可以兼顧成像效果以及全面屏設計。
本申請實施例提供一種顯示面板,包括:
基板,所述基板具有第一襯底、第二襯底以及位于所述第一襯底和所述第二襯底之間的黏附層;
其中,所述第二襯底及所述黏附層上貫設有過孔以連通所述第一襯底。
在一些實施例中,所述第一襯底的透光性大于所述第二襯底的透光性。
在一些實施例中,所述第一襯底的制備材料包括透明聚酰亞胺材料,所述第二襯底的制備材料包括黃色聚酰亞胺材料。
在一些實施例中,所述黏附層的制備材料包括光敏材料,其中經(jīng)過光照處理的所述光敏材料與所述第一襯底的粘附力小于未經(jīng)過光照處理的所述光敏材料與所述第一襯底的粘附力。
在一些實施例中,所述光敏材料包括硅烷耦合劑。
在一些實施例中,所述基板還包括位于所述黏附層和所述第二襯底之間的中間層。
本申請還提供一種顯示面板的制備方法,包括以下步驟:
S10:提供基板,所述基板包括第一襯底、第二襯底以及位于所述第一襯底和所述第二襯底之間的黏附層;
S20:對所述黏附層的部分區(qū)域進行光照處理,并去除所述黏附層及所述第二襯底中對應所述光照處理的部分,以使所述第二襯底及所述黏附層上貫設有連通所述第一襯底的過孔。
在一些實施例中,所述黏附層的制備材料包括光敏材料;經(jīng)過光照處理的所述黏附層與所述第一襯底的粘附力小于未經(jīng)過光照處理的所述黏附層與所述第一襯底的粘附力。
在一些實施例中,所述步驟S20包括:對所述黏附層的部分區(qū)域進行光照處理,利用激光切割所述黏附層及所述第二襯底中對應所述光照處理的部分,通過機械剝離去除所述黏附層及所述第二襯底中對應所述光照處理的部分,以使所述第二襯底及所述黏附層上貫設有連通所述第一襯底的過孔。
本申請還提供一種顯示裝置,包括所述的顯示面板或如所述的制備方法制得的顯示面板,以及傳感器;其中,所述傳感器正對所述過孔。
本申請實施例提供一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置,所述顯示面板包括:基板,所述基板具有第一襯底、第二襯底以及位于所述第一襯底和所述第二襯底之間的黏附層;其中,所述第二襯底及所述黏附層上貫設有過孔以連通所述第一襯底,以使所述顯示面板在所述過孔處具有較好的透光性。采用所述的顯示面板制得的顯示裝置,將傳感器正對所述顯示面板的所述過孔設置,能夠降低光信號在所述顯示裝置中的損失,便于所述顯示裝置兼顧成像效果及全面屏設計。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





